Leistungshalbleiter

Entwicklungspraxis

Die Auswahl eines Gate-Treiber-ICs für MOSFETs

Bei Anwendungen mit hoher Leistung steuern üblicherweise Treiber-ICs die MOSFET-Brücken. Die Auswahl der Bausteine erfolgt oft anhand des maximalen Gate-Stroms des MOSFETs, der für die erwünschte Schaltgeschwindigkeit erforderlich ist. Wie wählt man…

Einschaltwiderstand sinkt unter 1 Milliohm

Der neue 30-V-MOSFET von Fairchild ist auf einen besonders niedrigen Einschaltwiderstand…

600-V-MOSFETs mit niedriger Gate-Ladung

Fairchild bringt zwei neue Super-Junction-MOSFETs für 600 V mit niedrigem…

Vorteile von Superjunction- und konventionellen…

Coole MOSFETs

Superjunction-Bauelemente haben einen wachsenden Marktanteil bei den Hochvolt-MOSFETs…

CoolMOS-C6: Die ersten MOSFETs sind da

Auf der »China Power Show« hat Infineon die ersten MOSFETs der neuen CoolMOS-C6-Familie…

Ein „Predriver“-IC bietet Flexibilität und…

Wie lassen sich Motoren optimal ansteuern?

Kleine, bürstenlose Gleichstrommotoren (BLDC – Brush Less DC) setzen sich immer mehr…

IGBT-Module ohne Löten

Infineon hat auf der PCIM in Nürnberg eine neue Gehäuse-Bauform für Leistungsmodule…

Wie Galliumnitrid die Leistungswandler verändert

Angesichts radikaler Verbesserungen des Gütefaktors (FOM, Figure Of Merit) R_DS(on) × Q_sw,…

20-V-MOSFET ist nur einen halben Millimeter dick

Der FDMA6023PZT von Fairchild ist ein dualer P-Kanal-MOSFET. Er ist für maximale…

1-A-High-Side-Lastschalter

Vishay präsentiert mit dem SiP4613A/B sein Angebot an überstromgeschützten Lastschaltern…