P-Kanal-PowerMOSFET von NEC
Die P-Kanal-Bauelemente der NP-Serie schließen die Drain- Strom-Lücke im Bereich von –15 A bis –100 A.
Sie sind für zwei Drain-Source-Spannungen (–40 V und –60 V) mit Logik- Gatelevel-Ansteuerung klassifiziert und werden in den SMDGehäusen TO-252 (DPAK) und TO-263 (D2PAK) geliefert. Der On-Widerstand bei DPAK-Bauteilen mit niedrigem Drain-Strom liegt zwischen 9,6 mΩ (NP50P0- 4SDG) und 75 mΩ (NP15P0- 6SLG), der RDS(on) für die bis –100 A ausgelegten D2PAK-Bauteile nimmt bis auf 3,7 mΩ ab. Wie alle Mitglieder der NP-Serie, sind die neuen Bauteile nach der Norm AEC-Q101 qualifiziert. Sie unterstützen eine maximale Kanaltemperatur von 175 °C und sind RoHS-konform. Die jeweils maximale Avalanche- Energie ist produktabhängig und liegt zwischen 19 mJ (NP15P06SLG) und 550 mJ (NP100P04PLG).
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