Leistungshalbleiter

LDO-Regler mit NMOS-Treibertransistor

Das bessere Stellglied

Low-Dropout-Regler kommen zum Einsatz, wenn die Versorgungsspannung sehr sauber sein muss, beispielsweise bei den Kernspannungen von Low-Voltage-Prozessoren in mobiler Elektronik. Doch gerade bei niedrigen Spannungen hat der klassische P-Kanal-MOSFET…

Für DC/DC-Wandler

MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand für Schaltanwendungen

Toshiba erweitert sein Angebot an Kleinssignal-MOSFETs (S-MOS) mit einem neuen MOSFET in…

»Intelligente« Powermodule

Niedrigere Verluste

»Intelligente« IGBT-Module kommen vor allem in der Antriebstechnik vor. Ein klassischer…

Gehäuse für Hochspannungs-MOSFETs

Kleine Kraftpakete

Das Gehäuse ist bekanntlich ein Schlüsselelement für die Leistungsfähigkeit eines MOSFETs.…

IGBTs

Bis 100 kHz schnell schalten

Mit der dritten Generation an schnellen IGBTs von Infineon Technologies, sollen hart…

IGBT-Module

Niedrige Induktivität für schnelles Schalten

Mit 7 nH beträgt die parasitäre Induktivität der neuen IGBT-Modulfamilie »flowPHASE 2s«…

Schottky-Dioden

SiC-Bausteine im voll isolierten Gehäuse

Die zweite Generation SiC-Schottky-Dioden der Baureihe »ThinQ!« hat Infineon in ein voll…

Treiber-Kerne statt diskrete Lösungen

Steuerung von IGBTs

Sind IGBTs als Kreuzung aus MOSFET und Bipolartransistor genügsame, gutmütige und einfach…

Leistungshalbleiter

GaN ist endlich da

Wegen des stetig zunehmenden Einsatzes elektronischer Systeme und dem entsprechend…

International Rectifier

GaN-Leistungsbausteine endlich verfügbar

Nun hat International Rectifier die ersten kommerziell verfügbaren GaN-basierte Bausteine…