Leistungshalbleiter

IGBT-Module

Niedrige Induktivität für schnelles Schalten

Mit 7 nH beträgt die parasitäre Induktivität der neuen IGBT-Modulfamilie »flowPHASE 2s« von Vincotech etwa die Hälfte herkömmlicher Produkte. Dadurch lassen sich bei Leistungsanwendungen von mehr als 100 kW, Schaltfrequenzen bis 20 KHz realisieren.

Schottky-Dioden

SiC-Bausteine im voll isolierten Gehäuse

Die zweite Generation SiC-Schottky-Dioden der Baureihe »ThinQ!« hat Infineon in ein voll…

Treiber-Kerne statt diskrete Lösungen

Steuerung von IGBTs

Sind IGBTs als Kreuzung aus MOSFET und Bipolartransistor genügsame, gutmütige und einfach…

Leistungshalbleiter

GaN ist endlich da

Wegen des stetig zunehmenden Einsatzes elektronischer Systeme und dem entsprechend…

International Rectifier

GaN-Leistungsbausteine endlich verfügbar

Nun hat International Rectifier die ersten kommerziell verfügbaren GaN-basierte Bausteine…

Integriert statt diskret

Steuerung von 3-Phasen-Asynchronmotoren mit intelligenten Leistungsmodulen

Obwohl das Interesse für Permanentmagnet-Synchronmotoren in den letzten zehn Jahren…

Kleine IGBTs für Motorsteuerungen in Haushaltsgeräten

Infineon bringt eine neue 600-V-IGBT-Familie für den Einsatz in elektrischen Antrieben von…

25-V-MOSFETs mit neuem Konzept zur Wärmeabfuhr

Texas Instruments hat fünf neue Leistungs-MOSFETs seiner NexFET-Reihe vorgestellt. Durch…

P-Kanal-PowerMOSFET von NEC

Die P-Kanal-Bauelemente der NP-Serie schließen die Drain- Strom-Lücke im Bereich von –15 A…

Zuverlässiges IPM für Industrieanwendungen

Das SKiiP4-Modul ist optimiert bis 3600 A Nennstrom bei einer maximalen Spannung Udc von…