Speicherbausteine
8 Gbit auf einem DRAM-Chip
I’M Intelligent Memory, ein in Hong Kong ansässiges Fabless-Unternehmen für DRAM-Chips, bringt die ersten 8-Gbit-DRAM-Chips mit Single-Chip-Select auf den Markt und verdoppelt damit die Speicherkapazität pro Chip - im Vergleich zu den übrigen DDR3-DRAMs am Markt.
Darüber hinaus liefert das Unternehmen die ersten 16-Gbyte-DDR3-UDIMM sowie SO-DIMM-Speichermodule aus, die optional auch mit ECC-Fehlerkorrektur geliefert werden können.
Geordert werden können die Bausteine bei Memphis Electronic mit 1Gx8-Konfiguration in einem FBGA-78-Ball-Gehäuse, ferner mit 512Mx16-Konfiguration in einem FBGA-96-Ball-Gehäuse sowie auch mit 256Mx32-Konfiguration in einem FBGA-136-Ball-Gehäuse. Des Weiteren wird es die neuen Bausteine auch in Low-Voltage-Ausführung (1,35 V) geben, die allesamt für kommerzielle und industrielle Temperaturbereiche spezifiziert werden können.
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