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FeRAMs aus Dresden

20 Mio. Dollar für deutschen Start-up

17. November 2020, 07:48 Uhr   |  Heinz Arnold

20 Mio. Dollar für deutschen Start-up
© FMC

Ali Pourkeramati, CEO von FMC: »Diese Finanzierungsrunde wird die Kommerzialisierung unserer ferroelektrischen Feldeffekttransistor- und Kondensator-Technologie in exponentiell wachsenden Märkten in den Bereichen KI, IoT, Embedded-Speicher und Hochleistungsrechenzentren beschleunigen.«

Der deutsche Start-up Ferroelectric Memory hat 20 Mio. Dollar zur Entwicklung von nichtflüchtigen Speicher-ICs gesammelt.

Die ferroelektrischen RAMs (FeRAMs) der Dresdner Ferroelectric Memory (FMC) sind für den Einsatz in den nächsten für KI-, IoT- und Edge-Computing-Generation sowie für Rechenzentren vorgesehen.

In der B-Finanzierungsrunde sind die neuen Investoren M Ventures und imec.xpand unter Beteiligung von SK Hynix, Robert Bosch Venture Capital und TEL Venture Capital hinzugekommen. Der bestehende Investor eCapital beteiligte sich ebenfalls an dieser Runde.

»Ich habe in meiner ganzen Laufbahn als Speziallist für nichtflüchtige Speichertechniken noch keinen Ansatz gesehen, der so vielversprechend ist wie der von FMC. Ob es um die Schreib-/Lesegeschwindigkeit geht, den Datenerhalt die Leistungsaufnahme, die Skalierbarkeit oder die Integrierbarkeit in SoCs – überall sind die FeRAMs von FCM besser als existierende oder alternative nichtflüchtige Speichertechniken, die derzeit entwickelt werden«, sagte Ali Pourkeramati, CEO von FMC, im Gespräch mit Markt&Technik.

Das habe auch die Investoren der B-Finanzierungsrunde überzeugt. »Das einzigartige Potential dieser Technologie zieht ein Investitionsvolumen an, das nur wenigen deutschen Start-ups in so einer frühen Phase zuteil wird«, freut sich Pourkeramati.

Ziel sei es gewesen, Investoren zu gewinnen, die die gesamte Halbleiter-Wertschöpfungskette von den Materialen über die Tools, die Entwicklung und Fertigung von Speicher-ICs bis zu den Endkunden abdeckt: »Jetzt können die Investoren FMC über alle Ebenen hinweg dabei unterstützen, die neue ferroelektrische Speichertechnologie auf den Markt zu bringen.«

Ali Pourkeramati rechnet damit, dass die ersten SoCs mit embedded FeRAMs ab Ende 2023 produziert werden können und die ersten Geräte, die mit diesen SoCs arbeiten, ab 2025 verkauft werden. Dies werden voraussichtlich Consumer-Geräte im IoT-Umfeld sein. Als Foundry hatte FMC bereits Globalfoundries gewonnen, inzwischen sei laut Pourkeramati eine weitere bedeutende Foundry in Asien dazu gekommen.  

»Diese Finanzierungsrunde wird die Kommerzialisierung unserer ferroelektrischen Feldeffekttransistor- und Kondensator-Technologie in exponentiell wachsenden Märkten in den Bereichen KI, IoT, Embedded-Speicher und Hochleistungsrechenzentren beschleunigen«, so Pourkeramati.

So funktionieren die FERAMs  

FMC nutzt die ferroelektrischen Eigenschaften von kristallinem Hafniumoxid (HfO2), um die nichtflüchtigen Speicherzellen aufzubauen. HfO2 in seiner amorphen Form ist bereits das Gate-Isolatormaterial jedes CMOS-Transistors, vom Planar- bis zum FinFET-Transistor. Die patentierte Technologie von FMC ermöglicht es, amorphes HfO2 in kristallines ferroelektrisches HfO2 umzuwandeln. Auf diese Weise kann jeder Standard-CMOS-Transistor und -Kondensator in eine nichtflüchtige Speicherzelle, einen ferroelektrischen Feldeffekttransistor (FeFET) oder Kondensator (FeCAP) umgewandelt werden.

Neben der hohen Geschwindigkeit, der äußerst geringen Stromaufnahme, der CMOS-Kompatibilität, den geringeren Fertigungskosten und der extremen Temperaturstabilität bietet die FMC-Technologie eine vollständige magnetische Immunität und hohe Strahlungsfestigkeit. FeFETs und FeCAPs können in CMOS-Produktionslinien mit vorhandener Fertigungsinfrastruktur und ohne zusätzlichen Kapitalaufwand integriert werden.

»Der Aufstieg von KI, IoT, Big Data und 5G erfordert Speichertechnologien der nächsten Generation, die eine überlegene Geschwindigkeit und einen extrem niedrigen Energieverbrauch ermöglichen. Gleichzeitig müssen sie mit den modernsten CMOS-Logikprozessen kompatibel sein, die eine Senkung der Fertigungskosten garantieren«, ist Ali Pourkeramati überzeugt. »Wir sehen ein großes Interesse auf Seiten von Kunden und Entwicklungspartnern an unseren Vorteilen in Bezug auf schnellen Datenzugriff, höchstmögliche Programmier- und Löschgeschwindigkeit, der guten Energieeffizienz, einfache Integration in bestehende Fertigungsprozesse und niedrige Fertigungskosten.«

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