Firma

Vishay Intertechnology Inc.

Vishay / Siliziumkarbid

SiC-Dioden für 650 V im Merged-PIN-Schottky-Design

SiC-Dioden mit Nennströmen von 4 A bis 40 A hat Vishay Intertechnology präsentiert. Mit ihrem Merged-PIN-Schottky-Design sollen die 650-V-Bauteile die Schaltverluste verringern und den Einfluss von Temperaturschwankungen reduzieren.

Passive Bauelemente

Vishay präsentiert Aluminiumkondensatoren 190 RTL

AEC-Q200 qualifizierte Bauteile mit hoher Ripplestrombelastbarkeit

Passive Bauelemente

Miniatur-Aluminiumkondensatoren-Serie 170 RVZ

AEC-qualifizierte Kondensatoren mit Ripplestrombelastbarkeiten bis 3,8 A

Halbleiter

40-V-MOSFET-Halbbrücke SiZ240DT

Vishay bietet erhöhte Leistungsdichte und Effizienz

Vishay Intertechnology

Dünnschicht-Flachchip-Widerstände in neuer Baugröße

Die nun in Baugröße 0201 erhältlichen Dünnschicht-Flachchip-Widerstände der TNPW e3-Serie…

Passive Bauelemente

Vishay erweitert TNPW e3-Serie

Dünnschicht-Flachchip-Widerstände Baugröße 0201

Dünnschicht-Flachchip-Widerständen

Vishay erweitert TNPU-e3-Serie

Vishay hat seine TNPU-e3-Serie von ultrapräzisen Dünnschicht-Flachchip-Widerständen um die…

Produktneuheiten

Neues aus der Welt der Sensoren

Das neue Jahr startet mit einer Vielzahl neuer Sensoren. Wir haben einige der…

Vishay

N-Channel MOSFETs mit hoher Leistungsdichte

Die SiSS12DN-40V-N-Channel-MOSFETs von Vishay erhöhen die Leistungsdichte und Effizienz…

Rutronik Automotive Congress 2019

Top-Referenten sorgten für volles Haus

Der zweite Automotive Congress von Rutronik zeigte aktuelle Entwicklungen in Beleuchtung,…