Firma

Galliumnitrid-HEMTs

GaN im Einsatz

Langsam werden Leistungstransistoren aus Galliumnitrid marktreif. Da fragen sich die Anwender natürlich: Wie schaut die Roadmap der Hersteller aus? Wie kann ich GaN-HEMTs möglichst einfach in meine Schaltung integrieren?

PCIM Europe 2016

Höhere Leistungsdichten, niedrigere Einschaltwiderstände

Auf der PCIM Europe 2016 gibt es wieder zahlreiche Neuerungen zu sehen. Eine Auswahl…

Wide-Bandgap-Materialien

GaN gibt Gas

In den letzten Jahren sind GaN-Transistoren für kompakte, energieeffiziente…

Hy-Line Power Components

GaN-Schalter von transphorm ab Lager lieferbar

Auf der PCIM 2015 hat transphorm GaN-HEMTs mit 600 V Sperrspannung im TO-247-Gehäuse…

Kommentar

GaN nimmt Fahrt auf

Leistungshalbleitern aus Wide-Bandgap-Materialien wie zum Beispiel Galliumnitrid ist eine…

PCIM Europe 2015

Neue Produkte der Aussteller

Am 19. Mai startet der Expertentreff der Power-Branche, die PCIM Europe 2015. Dort können…

Transphorm

600-V-GaN-Transistor im TO-247-Gehäuse

Transphorm bietet ab sofort Entwicklungsmuster seines 600-V-Transistors »TPH3205WS« an,…

Transphorm und Fujitsu Semiconductor

Start der Massenproduktion von GaN-Leistungshalbleitern

Durch die Überführung in Fujitsus CMOS-kompatibler 150-mm-Wafer-Fab in Aizu-Wakamatsu…

GaN-Leistungshalbleiter

ON Semiconductor und Transphorm verbrüdern sich

ON Semiconductor und Transphorm wollen gemeinsam auf Galliumnitrid basierende…

Wide-Bandgap-Halbleiter

GaN-on-Si ist zuverlässig

Auf Galliumnitrid basierende Leistungshalbleiter befinden sich immer noch in der…