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Samsung Semiconductors Memory Devision

Flash-Speicher

1 TB in einem Package für embedded UFS

Mit dem ersten 1 Terabyte embedded Universal-Flash-Speicher (eUFS) erreicht Samsung den nächsten Meilenstein – doppelte Kapazität bei gleicher Baugröße. Er basiert auf Samsungs V-NAND-Technik der fünften Generation.

Rekordumsatz in diesem Jahr

Der DRAM-Markt am Wendepunkt

Der Umsatz mit DRAMs ist im vergangen Jahr um 76 Prozent in die Höhe gesprungen und kann…

IEDM 2018

Moore’s Law ist tot, aber die Skalierung geht munter weiter

Das diesjährige IEDM ist wieder geprägt von gewaltigen Fortschritten in den…

IEDM 2018

Foundries als Enabler für Industrie 4.0

Das hat man von einem Halbleiter-Manager von Samsung nicht erwartet. E.S. Jung, der bei…

Samsung Electronics

Verhaltene DRAM-Investitionen

2019 könnte der DRAM-Aufschwung enden. Noch laufen die Geschäfte blendend, doch Samsung…

KW 32

Der 99-Sekunden-Wochenrückblick

Schwupps, das wars schon wieder mit den heißen Tagen. Ob das eine gute oder schlechte…

Flash-Speicher

SSDs mit 4 Terabyte noch dieses Jahr

Samsung beginnt mit der Serienproduktion von SSDs mit QLC-Speicherchips. Die Laufwerke…

Speicher-ICs

8 Gbit LPDDR5 DRAM-IC für 5G- und AI-Mobilgeräte

Die erfolgreiche Entwicklung des industrieweit ersten in einer 10-nm-Klasse-Technik…

177 Mrd. US-Dollar Umsatz

Der Speichermarkt wird im Jahr 2018 um 40 % wachsen

Der Marktforscher Yole Développement prognostiziert,dass der Speichermarkt im Jahr 2018…

Speichertechnik für neue Anforderungen

Samsung produziert embedded-Universal-Flash-Storage

Die zunehmenden Anforderungen durch Fahrerassistenzsysteme, Infotainmentsysteme oder…