Firma

onsemi Germany GmbH

Branchendiskussion: Leistungshalbleiter

Video 3: Kommt der SiC-IGBT?

Aktuell deutet nichts darauf hin, dass es bei SiC-MOSFETs in Zukunft nur noch Planar oder Trench beim Zellaufbau geben wird. Auch wenn die jüngsten Planar-Konzepte schon ziemlich viel Trenchartige Strukturen im Zellaufbau aufweisen.

Branchendiskussion: Leistungshalbleiter

Video 2: Wettstreit zwischen SiC und GaN

Alles über 650 V wird auf absehbare Zeit eine SiC-Domäne bleiben, aber bis 650 V…

Online-Themenwoche Leistungselektronik

Eine ungewohnte Erfahrung

In dieser Woche informieren wir Sie vom 16. bis 20. September in unserer…

In zwei Minuten informiert

Video-Wochenrückblick: Einhörner, SiC-MOSFETs, Endress+Hauser

KI-Moderatorin Elli präsentiert Technik, Trends und Innovationen aus der Elektronik-Welt.…

Mehrjähriger Vertrag

onsemi wird Hauptlieferant für Volkswagen Group

onsemi hat mit der Volkswagen Group einen mehrjährigen Vertrag abgeschlossen, wonach…

Automotive-Kommunikationsprotokolle

Fahrzeugnetzwerke der Zukunft

Fahrzeuge werden immer komplexer und umfassen heute eine Vielzahl elektronischer Bauteile…

Weniger Abschalt- und Leitungsverluste

Neue Generation von SiC-MOSFETs

Um den steigenden Stromverbrauch in den Griff zu bekommen wird es entscheidend sein,…

Halbleiter in der Medizintechnik

Neue Referenzdesigns für Embedded Medical

Die Medizintechnik ist bei den Komponentenbauern gesetzt – mit steigender Digitalisierung…

Leistungselektronik für saubere Energie

Damit arbeiten Solaranlagen effizient und kostengünstig

Solarenergie erzeugen und speichern sind wesentliche Techniken, um CO2-Emissionen zu…

Tele- und Remotemedizin

Halbleiter-Technologien für die medizinische Fernüberwachung

Die Remotemedizin erleichtert die Gesundheitsversorgung mit Ferndiagnosen und -therapien.…