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Paneldiskussion auf der Technology Stage

Themen auf der PCIM: Vom Wide-Bandgap-Einsatz bis Nachhaltigkeit

Zwei Paneldiskussion der Markt&Technik auf der Technology Stage in Halle 4 der PCIM drehen sich um die Themen Herausforderungen und Chancen für SiC und GaN im Automotive-Einsatz und um das Thema Nachhaltigkeit in der Leistungselektronik.

Nexperia

Planar-Schottky-Dioden im platzsparenden CFP2-HP-Gehäuse

Nexperia bringt 16 neue, für niedrige Vorwärtsspannung (VF) optimierte planare…

Große Markt&Technik-Umfrage

Zollchaos bremst Automotive-Erholung

Eigentlich hatte sich das 1. Quartal für viele Komponentenzulieferer der deutschen und…

Förderung der Mikroelektronik

European Chips Act: Wachstum oder Stillstand?

Als das Bundesverfassungsgericht am 15. November 2023 das zweite Nachtragshaushaltsgesetz…

Für extreme thermische Bedingungen

Robuste Leistungselektronik mit SiC

Hohe Leistungsdichten führen zu hohen Betriebstemperaturen, aber was bedeutet das für…

Für Automobilanwendungen

Nexperia führt Kleinsignal-MOSFETs im DFN-Gehäuse ein

Nexperia kündigt die Einführung von Single- und Dual-Kleinsignal-MOSFETs für…

Nexperia

High-current eFuse with superior current limiting accuracy

Nexperia announced the NPS3102A and NPS3102B electronic fuses (eFuses) as the latest…

eFuses

Hochstromsicherung mit hervorragender Strombegrenzungsgenauigkeit

Nexperia stellte die elektronischen Sicherungen (eFuses) NPS3102A und NPS3102B als neueste…

Effiziente Schutzkomponenten

ESD-Schutz für Ethernet und Industrial Ethernet

Beim Begriff »Industrial Ethernet« kann man leicht den Eindruck gewinnen, es handele sich…

Angriff auf SiC- und GaN-Domäne

Infineon kündigt 400-V-Siliziumkarbid-MOSFET an

Es wäre ein Paukenschlag: Infineon Technologies wird einen diskreten 400-V-SiC-MOSFET auf…