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Gemeinsames Entwicklungsprojekt

Infineon und Schweizer Electronic entwarfen Batterieschalter

Infineon Technologies und Schweizer Electronic entwickelten gemeinsam einen leistungsstarken Batterieschalter, der mit Eckdaten wie 400 A Dauerstrom und 7.200 A Pulsstrom aufwarten kann.

Lebensdauer von IGBTs

Messung von transienten thermischen Widerständen

Transiente Wärmewiderstände, auch Zth-Kurven genannt, helfen, den transienten…

Prototyp

Leistungsstarker Batterieschalter auf MOSFET-Basis

Infineon und Schweizer haben gemeinsam einen Demonstrator für einen Batterieschalter…

Neue IGBT- und Dioden-Generation

Höhere Leistungsdichte bei Umrichtern

In der Leistungselektronik steigt die Leistungsdichte stetig. Ziel ist es, die Kosten zu…

Für Stromversorgung und Leistungswandlung

CoolMOS 7 eröffnet neue Effizienzbereiche

Über die Verfeinerung der Transistor-Strukturen in Kombination mit Verbesserungen des…

Infineon

Forschungsprojekt "ESiP" erfolgreich abgeschlossen

Das Projekt zur Erforschung und Entwicklung von hochintegrierten…

Infineon Technologies

Neues IGBT-Modul im Bereich 4,5 kV

Mit einem 4,5-kV-Typ hat Infineon ihre IGBT-Modulfamilie »IHV« komplettiert. Das…

Batterie-Management-Systeme

Was moderne BMS leisten müssen

Vom einfachen Laderegler zum komplexen Steuergerät: Die Anforderungen an das…

Elektromobilität

Leistung rauf, Kosten runter

Elektrofahrzeuge scheitern bislang an zwei Punkten: Leistungsfähigkeit und Kosten. Das…

Vorzeige-AG nach Penny-Stock

Chip-Hersteller Infineon ist einer der gesündesten DAX-Konzerne

Eine Untersuchung der Bilanzen der 30 DAX-Konzerne durch das Wirtschaftsmagazin…