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SiC-Dioden

Höherer Wirkungsgrad bei Frequenzumrichtern

Unter der Leitung von Siemens wurden in dem BMBF-Projekt MV-SiC weltweit erstmals Siliziumkarbid-Dioden in Mittelspannungsumrichtern für Großantriebe erprobt. Das Ergebnis: Mit den Bausteinen konnten bis zu 70 % Strom eingespart werden. Der…

Infineons XMC1000

Anwendungsoptimiert statt von der Stange

Standard-MCU-Architekturen bieten unterschiedlichste Derivate aus diesen der Anwender den…

Infineon-CEO Ploss

»Lasse mich nicht gerne aus Deutschland vertreiben«

Bei der Präsentation der Jahresergebnisse formulierte Infineon-Chef Dr. Reinhard Ploss…

Gemeinsames Entwicklungsprojekt

Infineon und Schweizer Electronic entwarfen Batterieschalter

Infineon Technologies und Schweizer Electronic entwickelten gemeinsam einen…

Lebensdauer von IGBTs

Messung von transienten thermischen Widerständen

Transiente Wärmewiderstände, auch Zth-Kurven genannt, helfen, den transienten…

Prototyp

Leistungsstarker Batterieschalter auf MOSFET-Basis

Infineon und Schweizer haben gemeinsam einen Demonstrator für einen Batterieschalter…

Neue IGBT- und Dioden-Generation

Höhere Leistungsdichte bei Umrichtern

In der Leistungselektronik steigt die Leistungsdichte stetig. Ziel ist es, die Kosten zu…

Für Stromversorgung und Leistungswandlung

CoolMOS 7 eröffnet neue Effizienzbereiche

Über die Verfeinerung der Transistor-Strukturen in Kombination mit Verbesserungen des…

Infineon

Forschungsprojekt "ESiP" erfolgreich abgeschlossen

Das Projekt zur Erforschung und Entwicklung von hochintegrierten…

Infineon Technologies

Neues IGBT-Modul im Bereich 4,5 kV

Mit einem 4,5-kV-Typ hat Infineon ihre IGBT-Modulfamilie »IHV« komplettiert. Das…