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Infineon Technologies AG

Infineon

Neue Hochvolt-MOSFETS arbeiten effizienter

Die neuen 600 V CoolMOS P7 sowie der 600 V CoolMOS C7 Gold (G7) sind für eine Durchbruchspannung von 600 V ausgelegt und bieten eine verbesserte Leistung der Superjunction-MOSFETS, sodass in den Zielanwendungen Spitzen-Leistungsdichten möglich sind.

Infineon Technologies

Verbesserter Ausblick für 2017

Einen zwischen 8 und 11 Prozent höheren Umsatz erwartet Infineon für das Geschäftsjahr…

ICs, Module und Entwicklungszubehör

Innovationen aus der Leistungselektronik

Es tut sich viel in der Leistungselektronik. Die Hersteller überschlagen sich geradezu mit…

Great Places to Work

Infineon und Sick sind Deutschlands beste Arbeitgeber

Die Sieger des Wettbewerbs »Deutschlands Beste Arbeitgeber 2017« stehen fest.…

Für höhere Leistungsdichte

IGBT-Module im 62-mm-Gehäuse

Infineon erweitert sein Angebot an IGBT-Modulen im 62-mm-Gehäuse. Die neuen…

Forschungsprojekt SiDaFab

Sichere Datenkommunikation für die Industrie 4.0

Hochsichere Kommunikation im Energienetz wird im Herbst mit der BSI-Zertifizierung von…

Geplatzte Wolfspeed-Übernahme

Was sagt Infineon?

Am 16.2.2017 war bekannt geworden, dass Infineon den SiC-Pionier Wolfspeed doch nicht…

Security

Forschungsprojekt zu sicheren Updates

Unter der Projektleitung von Infineon wird im BMBF-geförderten Projekt ALESSIO untersucht,…

Monolith Semiconductor

Littelfuse investiert in SiC

Rund 15 Mio. Dollar steckt Littelfuse in die Start-up-Firma Monolith Semiconductor. Ziel:…

Automotive Ethernet Congress 2017

Gestiegene Erwartungen

Am 07. und 08. Februar 2017 fand zum dritten Mal in Folge der Automotive Ethernet Congress…