Die neuen 600 V CoolMOS P7 sowie der 600 V CoolMOS C7 Gold (G7) sind für eine Durchbruchspannung von 600 V ausgelegt und bieten eine verbesserte Leistung der Superjunction-MOSFETS, sodass in den Zielanwendungen Spitzen-Leistungsdichten möglich sind.
Mit Effizienz und Benutzerfreundlichkeit beim Design-in-Prozess zielt der 600 V CoolMOS P7 auf Entwickler von Ladegeräten, Adaptern, Beleuchtungen, TVs, PC-Stromversorgungen, Server, Telekom und E-Mobility-Ladestationen, die Leistungsklassen von 100 W bis 15 kW adressieren wollen. Der 600 V CoolMOS P7 verzeichnet bis zu 1,5 Prozent Effizienzgewinne in verschiedenen Topologien, die Temperatur sei gegenüber Wettbewerbern um bis zu 4,2°C geringer, so Infineon.
Er ist mit einem R DS(on) von 37 mΩ bis 600 mΩ und für Oberflächen-(SMD) als auch Through-Hole-Montage erhältlich. Die ESD-Robustheit von mehr als 2 kV (HBM) schützt vor elektrostatischen Entladungsschäden. Eine robuste Body-Diode schützt bei harter Kommutierung in LLC-Schaltungen.
Der G7 von Infoneon verfügt über einen niedrigeren R DS(on) und eine minimierte Gate-Ladung Q G. Zudem wurde die gespeicherte Energie in der Ausgangskapazität reduziert. Durch das TO-Leadless-Gehäuse hat der Baustein eine vierpolige Kelvin-Source-Fähigkeit. Dies minimiert Verluste in PFC- und LLC-Schaltungen und bietet einen Leistungsgewinn von 0,6 Prozent sowie eine höhere Volllast-Effizienz in PFC-Schaltungen. Zum höheren Wirkungsgrad führt ebenfalls die geringe parasitäre Quelleninduktivität von 1 nH.
Die verbesserten thermischen Eigenschaften des TO-Leadless-Gehäuses ermöglichen den Einsatz in Schaltungen mit höheren Leistungsklassen. Im Vergleich dazu erlaubt die SMD-Technologie eine kostengünstigere Montage. Der 600 V CoolMOS C7 Gold verfügt über den weltweit niedrigsten R DS(on), der von 28 mΩ bis 150 mΩ reicht.
Im Vergleich zum üblichen D²PAK reduziert das Gehäuse die Grundfläche um 30 Prozent, die Höhe um 50 Prozent und den Bauraum um 60 Prozent. Durch die Kombination dieser Eigenschaften ist der Baustein für Anwendungen prädestiniert, bei denen hohe Effizienz und Leistungsdichte gewünscht sind. Zu den typischen Anwendungsfeldern gehören deshalb Server, Telekommunikation, Industrie und Solar.