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H-PSOF-Gehäusetechnologie für MOSFETs in…

Fairchild Semiconductor und Infineon Technologies schließen Lizenzvereinbarung

Fairchild Semiconductor und Infineon Technologies haben eine Lizenzvereinbarung über eine MOSFET-Gehäusetechnologie von Infineon für Automotive-Anwendungen geschlossen. Das TO-Gehäuse (MO-299) entspricht dem JEDE C-Standard H-PSOF (Heatsink Plastic…

Superjunction-MOSFETs

Hohe Leistungsdichte und geringe Schaltverluste für mehr Energieeffizienz im (Elektro-)Auto

Infineon Technologies ergänzt mit der Produktserie 650 V CoolMOS CFDA sein…

Höhere Leistungsdichte

Infineons neue MOSFET-Generation in 40 V und 60 V

In der Elektronik geht der Trend zu höheren Leistungen und Leistungsdichten auch im Jahr…

Interview mit Peter Bauer

»An einen großen Einbruch im Halbleitermarkt glaube ich nicht«

Infineon will künftig organisch wachsen, wie der Vorstandsvorsitzende Peter Bauer im…

Spritverbrauch senken, Reichweite erhöhen

System-Basis-Chip für den Teilnetzbetrieb am CAN-Bus

Um in Zukunft den Energieverbrauch von Fahrzeugen weiter zu senken, setzen die…

Qimonda-Pleite

Insolvenzverwalter will 1,71 Mrd. Euro von Infineon eintreiben

Der Insolvenzverwalter über das Vermögen der Qimonda AG, Dr. Michael Jaffé, hat beim…

Energieeffiziente Industrieanwendungen im Visier

IAR unterstützt Infineons Neulinge

Die »Embedded Workbench« von IAR Systems bietet nun auch die volle Unterstützung für die…

Near Field Communication

Infineon ist Marktführer bei NFC-Sicherheitscontrollern

Einer aktuellen Studie von IMS Research zufolge dominiert Infineon weltweit bei…

Komplette Debug- und Testlösung für das…

UDE unterstützt neue Infineon-TriCore-Multicore-Architektur

Als erste Debugger-Lösung für Infineons im Oktober 2011 vorgestellte…

Infineon/Samsung: Unterschiedliche Ansätze für…

Sichere Transaktionen via NFC

Um kontaktloses, sicheres Bezahlen via Near Field Communication (NFC) mittels Handy zu…