Infineon Technologies
Superjunction-MOSFET mit Fast-Body-Diode
Als branchenweit erster Superjunction-MOSFET verfügt der 650-V-CoolMOS-CFDA von Infineon Technologies über eine integrierte Fast-Body-Diode.
Der Baustein erfüllt den höchsten Automotive-Qualifizierungs-Standard AEC-Q101. Entwickelt wurde der 650-V-CoolMOS-CFDA speziell für resonante Topologien. Der Baustein bietet einen geringeren flächenspezifischen Einschaltwiderstand mit einem leicht zu steuernden Schaltverhalten und die branchenweit unempfindlichste Body-Diode. Die reduzierten Werte für die Speicherladungen Qrr und Qoss bei der wiederholten Kommutierung der Body-Diode führen zu geringeren Verzögerungszeiten beim Ein- und Ausschalten und damit zu verringerten Schaltverlusten. Muster des IPW65R150CFDA (650 V, 150 mOhm, TO247) sind zum Nettostückpreis von 1,85 Euro ab 10.000 MOSFETs erhältlich.
Infineon Technologies auf der PCIM 2012: Halle 12, Stand 404
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