H-PSOF-Gehäusetechnologie für MOSFETs in Automotive-Anwendungen
Fairchild Semiconductor und Infineon Technologies schließen Lizenzvereinbarung
Fairchild Semiconductor und Infineon Technologies haben eine Lizenzvereinbarung über eine MOSFET-Gehäusetechnologie von Infineon für Automotive-Anwendungen geschlossen. Das TO-Gehäuse (MO-299) entspricht dem JEDE C-Standard H-PSOF (Heatsink Plastic Small Outline Flat Lead).
Fairchild wird die Leadless TO-Gehäusetechnologie in Verbindung mit seinen neuesten MOSFET-Technologien einsetzen. Erste Muster der MOSFETs im neuen TO-Leadless Gehäuse werden voraussichtlich im zweiten Halbjahr 2012 verfügbar sein, die Bauteile aus der Produktion sind ab Mitte 2013 erhältlich. Mit der Lizenzvereinbarung wird sichergestellt, dass TO-Leadless-MOSFET-Lösungen künftig am Markt nicht mehr nur von einem einzigen Anbieter verfügbar sind.
Das Gehäuse wurde speziell für den Einsatz in Hochstrom-Automotive-Anwendungen entwickelt. Dazu gehören beispielsweise das Batterie-Management von Hybrid-Fahrzeugen, elektrische Servolenkungen (EPS), aktive Lichtmaschinen oder andere elektrische Systeme mit hoher Leistung. Das TO-Leadless-Gehäuse ist für Ströme von bis zu 300A ausgelegt. Gegenüber dem bisherigen D2PAK-Gehäuse fällt es um mehr als 20 Prozent kleiner aus, außerdem ist die Höhe um 50 Prozent reduziert.
