Firma

Galliumnitrid-Transistoren

Einheitliches Testverfahren für den dynamischen On-Widerstand

Ein zentrales Anliegen von Anwendern von GaN-HEMTs ist der dynamische On-Widerstand. Mit dem Dokument JEP173 hat das JEDEC Wide Bandgap Power Semiconductor Committee JC-70 dazu nun ein einheitliches Messverfahren veröffentlicht.

Infineon Technologies

Neue Anwendungen für die Aurix-Familien

Infineon Technologies ist sicherlich nicht der MCU-Anbieter mit dem breitesten…

Optimismus trotz Eintrübung

Frohe Infineon-Botschaft aus dem Merkel-Flugzeug

Trotz eines rückläufigen Quartals und Gegenwind aus der Weltwirtschaft korrigiert Infineon…

Anwenderforum Leistungshalbleiter 2018

Vier Koryphäen im Video-Interview

Auf unserem Anwenderforum Leistungshalbleiter 2018 waren einige der Koryhäen der Branche…

Infineon / Siliziumkarbid

SiC-Power-Modul für USV und Energiespeicherung

Um der Nachfrage nach Lösungen für Siliziumkarbid gerecht zu werden, hat Infineon seine…

Friedrich-Alexander-Universität

Defekte in SiC-MOSFETs genauer, schneller und einfacher finden

An der Grenzfläche zwischen Siliziumkarbid und dem Gate-Oxid entstehen bei der Herstellung…

Infineon-Umfrage

Zwei Drittel wollen E-Autos

Zwei Drittel aller Autofahrer können sich grundsätzlich vorstellen, ein Elektroauto…

Markt&Technik-Forum Halbleiter (2)

Kurzfristig? Geht eigentlich nicht!

Waren die Lieferzeiten für Halbleiter im Jahr 2017 deutlich gestiegen, wurde bereits Ende…

Markt&Technik-Forum Halbleiter

Der Halbleiterbedarf wächst – so oder so

Der WSTS geht in seiner Herbstprognose davon aus, dass der weltweite Halbleitermarkt in…

Infineon

Entwicklungszentrum in Dresden startet

Das neue Entwicklungszentrum für Automobilelektronik und Künstliche Intelligenz (KI) von…