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Friedrich-Alexander-Universität

Defekte in SiC-MOSFETs genauer, schneller und einfacher finden

An der Grenzfläche zwischen Siliziumkarbid und dem Gate-Oxid entstehen bei der Herstellung ungewollte Defekte, die die Ladungsträger »wegfangen«. Forscher der Friedrich-Alexander-Universität haben eine einfache und zugleich präzise Methode…

Infineon-Umfrage

Zwei Drittel wollen E-Autos

Zwei Drittel aller Autofahrer können sich grundsätzlich vorstellen, ein Elektroauto…

Markt&Technik-Forum Halbleiter (2)

Kurzfristig? Geht eigentlich nicht!

Waren die Lieferzeiten für Halbleiter im Jahr 2017 deutlich gestiegen, wurde bereits Ende…

Markt&Technik-Forum Halbleiter

Der Halbleiterbedarf wächst – so oder so

Der WSTS geht in seiner Herbstprognose davon aus, dass der weltweite Halbleitermarkt in…

Infineon

Entwicklungszentrum in Dresden startet

Das neue Entwicklungszentrum für Automobilelektronik und Künstliche Intelligenz (KI) von…

Mobilfunkkommunikation für IIoT und M2M

Miniatur eSIM im WLCSP-Gehäuse

Ein embedded Subscriber Identity Module (eSIM) für industrielle Anwendungen hat Infineon…

Antriebstechnik

Skripte machen Umrichter effizienter

Fast die Hälfte der elektrischen Energie fließt in elektrische Antriebe. Um den Ausstoß…

Personalie

Ex-Lufthansa-Chef Wolfgang Mayrhuber ist tot

Der ehemalige Vorstands- und Aufsichtsratschef der Lufthansa, Wolfgang Mayrhuber ist im…

Infineon und IDEX

Sichere biometrische IC-Karten

Infineon entwickelt mit IDEX Biometrics biometrische Karten, mit denen die Anwender sicher…

Stimmung in der Halbleiterindustrie

Hohe Erwartungen trotz einiger Sorgen und Unwägbarkeiten

Fragt man die Halbleiterhersteller, wie sie derzeit die Marktentwicklung einschätzen, sind…