SiC-MOSFETs, -JFETs, -BJTs und -Dioden bieten ein…
Die Siliziumkarbid-Technologie erreicht ihren kritischen Reifegrad
Leistungshalbleiter-Lösungen auf SiC-Basis bestachen in der Vergangenheit zwar durch ihre Leistungsdichte und Effizienz, unter wirtschaftlichen Gesichtspunkten war ihr Einsatz jedoch nur in wenigen Applikationen gerechtfertigt.