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Cree Europe GmbH

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Leistungs-Stromrichter

Crees SiC-MOSFETs machen E-Mobility effizienter

Einen bisher unerreichten Wirkungsgrad von 96 Prozent in seinen Leistungs-Stromrichtern der 3- bis 10-kW-Klasse für Elektrobusse erzielt Shinry Technologies durch den Einsatz von Crees SiC-MOSFETs der zweiten Generation.

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Siliziumkarbid-MOSFETs

Verbesserte zweite Generation

Seit Anfang 2011 sind MOSFETs aus Siliziumkarbid kommerziell erhältlich. Anfang dieses…

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© Cree

Maxi Leistung im Mini-Format

Neue XLamp XQ-E LEDs von Cree

Extreme Leistung packt die neue XLamp XQ-E LED Familie von Cree in einen um 78 Prozent…

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Bis zu 68 Prozent heller

Cree erweitert LED-Familie

Mit den zwei neuen LED-Arrays der »XLamp«-Serie adressiert Cree Anwendungen, die eine…

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© Power Integrations

Mit allen Triac-Dimmern kompatibel

Referenzdesign für PAR38-LED-Strahler

Power Integrations hat in Zusammenarbeit mit Cree ein Referenzdesign für dimmbare…

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© Cree

Produktionsfehler vermeiden

Ausfallraten minimieren

Beim Bestücken von Leiterplatten mit LEDs treten in manchen Fällen im Keramiksubtrat der…

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Si vs. SiC

Wie leistungsfähig sind SiC-MOSFETs?

Leistungswandler mit Siliziumkarbid-Bauelementen versprechen im Vergleich zu…

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© Cree

Effizient und langlebig

LED-Modul mit 4000 Lumen

Cree bietet mit dem neuen LMH2 das industrieweit erste Hochleistungs-LED-Modul mit 4000…

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© MEV Elektronik

Crees zweite Generation von SiC-MOSFETs reduziert…

Ist Siliziumkarbid wirklich noch teurer als Silizium?

Der weit verbreiteten Aussage, dass SiC-Leistungsbauelemente zwar wesentlich effizienter…

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GaN-Leistungshalbleiter

Cree lizenziert GaN-Bauteilpatente an Transphorm

Cree hat einen nicht-exklusiven, weltweiten Lizenzvertrag mit Transphorm unterzeichnet,…

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