MEV/Mornsun
DC/DC-Wandler adressiert SiC-MOSFETs von Cree
Für das Treiben von SiC-MOSFETs eignet sich Mornsun dualer DC/DC-Wandler QA01C. Der bei MEV Elektronik Service GmbH erhältliche Baustein mit galvanischer Trennung liefert in einem Gehäuse die zwei Spannungen +20 V für das »Turn On« und –4 V für das »Turn Off« des MOSFETs.
Mornsun hat den QA01C explizit für die SiC-MOSFETs von Cree entwickelt, auf deren SiC-Evaluationboards der DC/DC-Wandler auch verwendet wird. Die Gatespannung der SiC-MOSFETs aus dem Hause Cree liegt bei maximal –10 V/+25 V, sodass sich die von der MEV Elektronik Service GmbH gelieferten DC/DC-Wandler ideal zum Treiben der MOSFETs einsetzen lassen: Einerseits wird der MOSFET durch die Abschaltung mit –4 V sicher ausgeschaltet, weil die Gate-Vth-Spannung bei ungefähr 1,8 Vmin sehr niedrig ist. Andererseits ergeben sich geringere Verluste bei einer Abschaltung mit –4 V im Vergleich mit 0 V.
Weitere Eigenschaften des DC/DC-Wandlers im SIP-Gehäuse sind die kapazitive Last von 220 µF, die Isolation von 3500 VAC und die Isolationskapazität von 3,5 pF. Betreiben lässt sich der Baustein im Temperaturbereich von – 40 bis +105 °C mit einer Effizienz von 83 %.
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