Die nächste Effizienz-Dimension

Einsatz von SiC-Bauelementen für Leistungsanwendungen

16. September 2011, 10:34 Uhr | Von Masanuri Tanimura
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Fortsetzung des Artikels von Teil 4

Fehlender SiC-Transistor als Erfolgsbremse

Zu den entscheidenden Hindernissen, die einer vermehrten Verwendung von SiC im Wege stehen, gehört das Fehlen eines SiC-Transistors. Dieser aber ist notwendig, um eine wirklich komplette SiC-Lösung zu realisieren. In Anbetracht der fortlaufenden weltweiten Forschungsaktivitäten auf diesem Gebiet geht Yole jedoch davon aus, dass hier die Massenfertigung in den nächsten fünf Jahren beginnen wird. Das Wachstum speist sich aus der größeren Zahl von Anbietern und aus der aufgestockten Produktionskapazität für SiC-Dioden und -Transistoren.

Hinzu kommt, dass Regierungen auf der ganzen Welt die Nutzung erneuerbarer Energien vorantreiben, um die Abhängigkeit von fossilen Brennstoffen zu verringern und die CO2-Emissionen zu senken. Weitere Anwendungen, die das Interesse der ersten Nutzer der SiC-Technologie auf sich ziehen und von denen es bereits erste Implementierungen gibt, sind jene, in denen ein hoher Wirkungsgrad entweder ein wichtiges Verkaufsargument für das Endprodukt ist und/oder in denen Gesetze oder Vorschriften eine gewisse Mindest-Energieeffizienz festlegen.


  1. Einsatz von SiC-Bauelementen für Leistungsanwendungen
  2. Aktivitäten bei GaN
  3. Über einen weiten Temperaturbereich stabil
  4. Die Zeit ist reif für die Siliziumkarbid-Technologie
  5. Fehlender SiC-Transistor als Erfolgsbremse
  6. Vorteile von SiC in praktischen Anwendungen
  7. Welche Herausforderungen birgt der Einsatz von SiC?
  8. Proprietäre Architektur gewährleistet Zuverlässigkeit

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