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Die nächste Effizienz-Dimension

Einsatz von SiC-Bauelementen für Leistungsanwendungen

16. September 2011, 10:34 Uhr | Von Masanuri Tanimura

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Fortsetzung des Artikels von Teil 3

Die Zeit ist reif für die Siliziumkarbid-Technologie

Obwohl die ersten kommerziellen Schottky-Dioden schon 2001 angeboten wurden, haben diese Bauelemente bis vor kurzem nur begrenzte Akzeptanz gefunden. Dass das Interesse und die Akzeptanz in vielen Anwendungen zugenommen haben, liegt vorwiegend an den gesunkenen Produktionskosten, der Verfügbarkeit von SiC-Transistoren, den zahlreicher gewordenen Zulieferern und dem Aufwärts-Trend bei den umweltfreundlichen Energien im Allgemeinen und beim Umwandlungswirkungsgrad im Besonderen, getrieben durch neue Gesetze, aber auch durch die Nachfrage auf dem Markt. Eine wichtige Rolle spielen nicht zuletzt neue Anwendungen wie etwa Elektrofahrzeuge und die zugehörigen Ladestationen. In seinem Report mit dem Titel „SiC 2010“ bezeichnete Yole Developpement den Umstieg auf 100-mm-Wafer als einen entscheidenden Meilenstein im Streben nach niedrigeren Kosten. Erwartet wird, dass die bevorstehende Umstellung auf 150-mm-Wafer eine wichtige Rolle für die weitere Kostensenkung und das Marktwachstum spielen wird.