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Die nächste Effizienz-Dimension

Einsatz von SiC-Bauelementen für Leistungsanwendungen

16. September 2011, 10:34 Uhr | Von Masanuri Tanimura

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Fortsetzung des Artikels von Teil 2

Über einen weiten Temperaturbereich stabil

SiC hat seine hohe Stabilität über einen weiten Temperaturbereich bewiesen (Bild 3). Dies vereinfacht das Parallelschalten mehrerer Bauelemente und verhindert ein thermisches Durchgehen. Einer der Gründe, warum sich SiC trotz dieser Vorteile bisher nur bei wenigen neuen Produkten durchsetzen konnte, sind die fortlaufenden Verbesserungen bei den siliziumbasierten Bausteinen, die sich auf eine über einen Zeitraum von mehr als 50 Jahren ständig verfeinerte Infrastruktur aus Prozessen, Schaltungsentwurf und Produktionstechnik stützen können. Die SiC-Technologie steckt verglichen damit noch in den Kinderschuhen. In den meisten Applikationen erwiesen sich zudem die höheren Preise von SiC-Bausteinen als hinderlich. Das höhere Kosten-Niveau erklärt sich großenteils aus der Tatsache, dass SiC wesentlich schwieriger zu verarbeiten ist als Silizium. So muss wegen der niedrigen Diffusionsrate von SiC die kostspielige Ionenimplantation zum Dotieren verwendet werden. Auf das reaktive Ionenätzen (Reactive Ion Etching; RIE) mit einem fluorbasierten Plasma folgt das Glühen bei hoher Temperatur. Dies hat – zumindest heute noch – hohe Kosten und eine eingeschränkte Verfügbarkeit zur Folge.