Produkt

Nichtflüchtige Speicher

Torque-Spin-Technik

Everspin will DRAM mit MRAM ersetzen

Der MRAM-Pionier Everspin hat im vergangenen Jahr bereits 3 Millionen seiner magnetischen RAMs ausgeliefert. Mit der neuen Spin-Torque-Technik will Everspin in diesem Jahr auch erstmals den DRAMs Konkurrenz machen.

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Elpida fertigt erste 64-MBit-Prototypen

Durchbruch bei der Entwicklung von Resistance RAMs

Elpida verkündet deutliche Fortschritte bei der Entwicklung von Resistance RAMs – auch…

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© STMicroelectronics

Für batterielose Systeme

ST: EEPROM ermöglicht Energy Harvesting

Das neue 16-KBit-EEPROM von STMicroelectronics kann die von RFID-Lese/Schreibgeräten…

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© Macronix

Speicherhersteller aus Taiwan mit eigener…

Macronix strebt die Marktführerschaft bei NOR-Flash-ICs an

Macronix aus Taiwan, Hersteller von nicht-flüchtigen Speicher-ICs, verfolgt eine klare…

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© Seagate

Flash und Mechanik kombiniert

Seagate verkauft 1 Mio. Hybridfestplatten

Mit dem Verkauf von 1 Mio. Hybridfestplatten des Typs »Momentus XT« unterstreicht Seagate…

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Flash-Speicher

Spansion produziert weltweit ersten 4-Gbit-NOR-Speicher

Der amerikanische Speicherhersteller Spansion hat den ersten…

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© Swissbit

Swissbit garantiert hohe Qualitätsstandards bei…

Kritische Beurteilung von Flash-Speichern

Flash ist auf dem Vormarsch - auch in industriellen Applikationen. Weil hier jedoch die…

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© Michael Lowry

Speicher

IBM: Phasenwechselspeicher kann in fünf Jahren Flash ersetzen

Die IBM-Forscher haben einen Durchbruch bei Phasenwechselspeicher erzielt, indem sie…

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Weltneuheit bei Mikrocontrollern

Embedded FeRAM statt Flash-Speicher

Texas Instruments hat die Mikrocontroller-Familie MSP430FR57xx vorgestellt, den ersten…

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© iSuppli

Massenspeicher

Seagate kauft Samsungs Festplattensparte

Samsung hat mit Seagate einen Käufer für sein defizitätes Festplattengeschäft gefunden.…

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