Produkt

Leistungsmodule

STMicroelectronics

Einphasige Vollbrücke in einem Gehäuse

In dem 13 mm x 11 mm großen PWD13F60 von STMicroelectronics ist eine komplette einphasige Vollbrücke für 600 V und 8 A untergebracht. Neben den MOSFETs sind noch Gate-Treibern und Schutzfunktionen mit integriert. Dies soll Platz sparen, das Design…

Anwenderforum Leistungshalbleiter

Intensive Schulung zu MOSFET & Co.

MOSFET & Co. sind Kernkomponenten jedes Netzteils, DC/DC-Wandlers oder Umrichters. Doch…

ROHM und VENTURI

Die Leichtigkeit des SiC-Designs

ROHM die Wechselrichter für das VENTURI-Team mit SiC-Dioden und -Transistoren…

Gate-Treiber-IC von Power Integrations

Spitzenströme bis 60 A mittels externen Boostern

Power Integrations präsentiert das neueste Mitglied seiner Scale-iDriver-IC-Familie…

PinkRF

Hocheffiziente und dimmbare Plasmalampen

Weil sich RF-Energy-Systeme auf wechselnden Ausgangsimpedanzen der Last schnell…

Fraunhofer IAF

More than Moore

Mehr Funktionalität und Leistung auf einem Chip – auch außerhalb von Moores Law. das ist…

Basierend auf U-MOS-IX-H-Trench-Prozess

Neue 40- und 60-V-n-Kanal-MOSFETs von Toshiba

Die neuesten 40-V- und 60-V-Leistungs-MOSFETs von Toshiba werden im…

Energiezähler in Echtzeit

Integrierte Leistungsmessung

Geräte mit Energiemessung liefern Telemetriedaten der Systemblöcke, die der Entwickler zur…

Zwei statt drei Stufen

Leistungsmerkmale industrieller Dreiphasen-PFCs verbessern

SiC-Leistungshalbleiter werden attraktiv für den Massenmarkt. Durch einfachere Topologien…

GaN-Ansteuerungs-Konfiguration

Kaskode oder direkt?

Die direkte Ansteuerung von GaN-Bauelementen bietet gegenüber der Kaskoden-Ansteuerung…