Produkt

Universelles Halbbrücken-Referenzdesign

Evaluierung von Hochleistungs-Schalttopologien

Eine Möglichkeit verschiedene Schalttechnologien zu vergleichen, bietet ein universelles Halbbrücken-Referenzdesign von Recom. Testen lassen sich unter anderem Hochleistungs-IGBT-Schaltungen, SiC-IGBT-Schaltungen der 1. und 2. Generation sowie…

650-V-IGBTs der dritten Generation

Kaum noch Oszillationen im Strom- und Spannungsverlauf

Dass Halbleiterbausteine wie IGBTs immer leistungsfähiger werden müssen, das ist kein…

Leistungshalbleitermarkt 2018

Industrieelektronik und Automotive pushen den Markt

Lieferengpässe bei MOSFETs und Gleichrichtern sowie Schwierigkeiten bei der Versorgung mit…

Nominierung zum Produkt des Jahres 2018

Kategorie Aktive Bauelemente

Elf Top-Produkte schickt die Elektronik-Redaktion in der Kategorie »Aktive Bauelemente«…

STMicroelectronics

Einphasige Vollbrücke in einem Gehäuse

In dem 13 mm x 11 mm großen PWD13F60 von STMicroelectronics ist eine komplette einphasige…

Anwenderforum Leistungshalbleiter

Intensive Schulung zu MOSFET & Co.

MOSFET & Co. sind Kernkomponenten jedes Netzteils, DC/DC-Wandlers oder Umrichters. Doch…

ROHM und VENTURI

Die Leichtigkeit des SiC-Designs

ROHM die Wechselrichter für das VENTURI-Team mit SiC-Dioden und -Transistoren…

Gate-Treiber-IC von Power Integrations

Spitzenströme bis 60 A mittels externen Boostern

Power Integrations präsentiert das neueste Mitglied seiner Scale-iDriver-IC-Familie…

PinkRF

Hocheffiziente und dimmbare Plasmalampen

Weil sich RF-Energy-Systeme auf wechselnden Ausgangsimpedanzen der Last schnell…

Fraunhofer IAF

More than Moore

Mehr Funktionalität und Leistung auf einem Chip – auch außerhalb von Moores Law. das ist…