Produkt

Leistungsmodule

Basierend auf U-MOS-IX-H-Trench-Prozess

Neue 40- und 60-V-n-Kanal-MOSFETs von Toshiba

Die neuesten 40-V- und 60-V-Leistungs-MOSFETs von Toshiba werden im U-MOS-IX-H-Trench-Halbleiterprozess des Unternehmens gefertigt werden.

Energiezähler in Echtzeit

Integrierte Leistungsmessung

Geräte mit Energiemessung liefern Telemetriedaten der Systemblöcke, die der Entwickler zur…

Zwei statt drei Stufen

Leistungsmerkmale industrieller Dreiphasen-PFCs verbessern

SiC-Leistungshalbleiter werden attraktiv für den Massenmarkt. Durch einfachere Topologien…

GaN-Ansteuerungs-Konfiguration

Kaskode oder direkt?

Die direkte Ansteuerung von GaN-Bauelementen bietet gegenüber der Kaskoden-Ansteuerung…

Mehr Leistungsfähigkeit auf Systemebene

1600-W-Transistoren für das L-Band

GaN-Leistungshalbleiter stehen kurz vor dem Eintritt in den Massenmarkt. Speziell für…

Leistungsstarkes Trench-Konzept

Die Grenzen von ­SiC überwinden

Mit SiC-Bauelementen lassen sich Systeme mit hoher Leistungs­fähigkeit und Effizienz…

O-S-D Report von IC Insights

Markt für Leistungstransistoren wächst wieder stabil

In diesem Jahr könnte der Umsatz bei Leistungstransistoren mit 13,6 Milliarden US-Dollar…

Dr. Gourab Majumdar, Mitsubishi Electric

Power-Module »intelligent« machen

In der Leistungselektronik genießt Dr. Gourab Majumdar, Fellow der Semiconductor & Device…

Verbesserter Wirkungsgrad

Sechste CoolSiC-Schottky-Dioden-Generation mit 650 V

Die CoolSiC-Schottky-Diode 650 V G6 ist das neueste Mitglied der CoolSiC-Diodenfamilie von…

Mitsubishi Electric / ICSCRM 2017

Neue Source-Struktur macht SiC-MOSFETs robuster und effizienter

Entwickler von SiC-MOSFETs müssen zwischen Kurzschlussfestigkeit und Einschaltwiderstand…