Produkt

Leistungsmodule

Mehr Leistungsfähigkeit auf Systemebene

1600-W-Transistoren für das L-Band

GaN-Leistungshalbleiter stehen kurz vor dem Eintritt in den Massenmarkt. Speziell für anspruchsvolle Anwendungen wie Luftfahrt und Radar sind Single-Ended-Transistoren auf GaN-Basis vielversprechend. Mit ihnen lassen sich deutlich platzsparendere und…

Leistungsstarkes Trench-Konzept

Die Grenzen von SiC überwinden

Mit SiC-Bauelementen lassen sich Systeme mit hoher Leistungsfähigkeit und Effizienz…

O-S-D Report von IC Insights

Markt für Leistungstransistoren wächst wieder stabil

In diesem Jahr könnte der Umsatz bei Leistungstransistoren mit 13,6 Milliarden US-Dollar…

Dr. Gourab Majumdar, Mitsubishi Electric

Power-Module »intelligent« machen

In der Leistungselektronik genießt Dr. Gourab Majumdar, Fellow der Semiconductor & Device…

Verbesserter Wirkungsgrad

Sechste CoolSiC-Schottky-Dioden-Generation mit 650 V

Die CoolSiC-Schottky-Diode 650 V G6 ist das neueste Mitglied der CoolSiC-Diodenfamilie von…

Mitsubishi Electric / ICSCRM 2017

Neue Source-Struktur macht SiC-MOSFETs robuster und effizienter

Entwickler von SiC-MOSFETs müssen zwischen Kurzschlussfestigkeit und Einschaltwiderstand…

Solid State RF Energy

»Die Preise sinken bereits!«

Solid State RF Energy steht unmittelbar vor dem Einsatz. Die RF Energy Alliance sorgt für…

Ab sofort Vorschläge einreichen!

Call for Papers für die PCIM Asia

Der Call for Papers der PCIM Asia 2018 ist eröffnet. Bis spätestens 30. November 2017…

Ermöglicht Tastverhältnis bis 100 %

MOSFET-Treiber von Linear Technology

Beim LTC7004 von Linear Technology handelt es sich um einen…

Nach IXYS-Akquisition von Littelfuse

Yole prognostiziert: Module befeuern den IGBT-Markt

Der IGBT-Markt wird bis 2022 auf 5 Mrd. Dollar steigen, wobei ein Großteil auf Module…