Produkt

Leistungsmodule

© Infineon Technologies

Infineons CoolSiC-MOSFETs-Portfolio

Beschleunigter Rollout

Infineon Technologies erweitert das Spektrum seiner 1200-V-CoolSiC-MOSFETs und startet gleichzeitig die Serienproduktion eines umfassenden Portfolios diskreter Bauteile. Zum erweiterten Gehäuse-Programm zählt auch ein Portfolio an SMD-Gehäusen und…

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© Markt&Technik

Interview mit Dr. Alex Lidow, EPC

»Der 48-V-Automotive-Markt ist ein GaN-Markt«

Dr. Alex Lidow, Gründer und CEO von EPC, ist so etwas wie der Evangelist der…

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© Vishay

Vishay Intertechnology

Ultrafast-Gleichrichter mit höherer Leistungsdichte

Vishay Intertechnology erweitert sein Angebot an FRED-Pt-Ultrafast-Recovery-Gleichrichtern…

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© Markt & Technik

Interview mit Gregg Lowe, Cree

SiC als Schlüssel für die E-Mobilität

Gregg Lowe, CEO von Cree, setzt auf Siliziumkarbid. Nach der Investition von 1 Mrd. Dollar…

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© MIKA-fotografie | Berlin

Neuartiges Leistungsmodul

Fraunhofer-Forscher mit Young Engineer Award ausgezeichnet

Christoph Marczok entwickelt am Fraunhofer IZM ein niederinduktives Leistungsmodul, das…

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© MIKA-fotografie | Berlin

Novel Power Module / PCIM

Young Engineer Award for Fraunhofer Researcher

Christoph Marczok has developed a low-inductance power module at Fraunhofer IZM that is…

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© Imec

Imec FutureSummit 2019

Imec ermöglicht eine echte GaN-IC-Technologie

Das Forschungs- und Innovationszentrum für Nanoelektronik und digitale Technologien, Imec,…

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© Fraunhofer IAF

Für die Elektromobilität

Monolithisch integrierte GaN-Leistungselektronik

Auf nur 4 x 3 mm2 integrierten Forscher des Fraunhofer IAF Strom- und Temperatursensoren…

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© CISSOID

CISSOID und Tsinghua-Universität

Kooperation bei SiC-Leistungsmodulen für alternative Antriebe

Um die Anwendungen von Siliziumkarbid-Leistungsbauelementen für Kraftfahrzeuge mit…

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© Fraunhofer IISB

Fraunhofer IISB / PCIM

Keramisches Embedding für Wide-Bandgap-Halbleiter

Der beschränkende Faktor in der Leistungselektronik ist oft das Gehäuse. Dies gilt…

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