Infineon Technologies erweitert das Spektrum seiner 1200-V-CoolSiC-MOSFETs und startet gleichzeitig die Serienproduktion eines umfassenden Portfolios diskreter Bauteile. Zum erweiterten Gehäuse-Programm zählt auch ein Portfolio an SMD-Gehäusen und…
Dr. Alex Lidow, Gründer und CEO von EPC, ist so etwas wie der Evangelist der…
Vishay Intertechnology erweitert sein Angebot an FRED-Pt-Ultrafast-Recovery-Gleichrichtern…
Gregg Lowe, CEO von Cree, setzt auf Siliziumkarbid. Nach der Investition von 1 Mrd. Dollar…
Christoph Marczok entwickelt am Fraunhofer IZM ein niederinduktives Leistungsmodul, das…
Christoph Marczok has developed a low-inductance power module at Fraunhofer IZM that is…
Das Forschungs- und Innovationszentrum für Nanoelektronik und digitale Technologien, Imec,…
Auf nur 4 x 3 mm2 integrierten Forscher des Fraunhofer IAF Strom- und Temperatursensoren…
Um die Anwendungen von Siliziumkarbid-Leistungsbauelementen für Kraftfahrzeuge mit…
Der beschränkende Faktor in der Leistungselektronik ist oft das Gehäuse. Dies gilt…