Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Rohm kooperiert mit chinesischem Tier-1

Automobile Forschung zu SiC-Technologie

Der Halbleiter-Hersteller Rohm und das Bosch-Joint Venture United Automotive Electronic Systems (UAES), ein chinesischer Tier-1-Automobilhersteller, eröffnen ein gemeinsames Labor für SiC-Technologie (Siliziumkarbid) am Hauptsitz von UAES in…

Mentor wird Siemens EDA

Neuer Name für IC-Design-Geschäft

Mentor, a Siemens business firmiert künftig unter dem Namen »Siemens EDA«. Die…

STMicroelectronics übertrifft Prognose

»Das Automotive-Segment hat uns wirklich überrascht«

Corona hat das Jahr 2020 geprägt. Markt&Technik sprach bereits im Frühjahr mit Jean-Marc…

Transphorm / Galliumnitrid

SuperGaN-FETs sind besser als SiC-MOSFETs

SuperGaN heißt die fünfte Bauteilgeneration von Transphorm. Der On-Widerstand liegt bei 15…

Siliziumkarbid

SiC-MOSFETs vor Kurzschluss schützen

Im Vergleich zu IGBTs aus Silizium stellen äquivalente MOSFETs aus Siliziumkarbid höhere…

Treiber-ICs

Extrem schnelle GaN-Transistoren richtig steuern

Galliumnitrid-Transistoren schalten viel schneller und haben damit weniger Verluste als…

Infineon / Siliziumkarbid

Spritzgegossenes Power-Modul mit 1200-V-CoolSiC-MOSFETs

Mit dem CoolSiC CIPOS Maxi IM828 hat Infineon das nach eigener Aussage weltweit erste…

Für Industrie-Motor- und Pumpenantriebe

Erstes 1200-V-Modul mit SiC in gemoldetem Gehäuse

Infineon stellt das erste integriertes 1200-V-Leistungsmodul (IPM) mit Siliziumkarbid…

Rohm Semiconductor

VCSEL-Module verbessern 3D-Erkennung und Entfernungsmessung

Die neuen Laserlichtquellen von Rohm Semiconductor vom Typ VCSEL erreichen bei…

UnitedSiC / Siiliziumkarbid

Vierte Generation an SiC-Transistoren

Mit vier Bauteilen mit 750 V Sperrspannung eröffnet UnitedSiC die vierte Generation ihrer…