Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

© Texas Instruments

Texas Instruments / Galliumnitrid

Integrierter 650-V-GaN-FET für Automotive-Anwendungen

Mit dem LMG3525R030-Q1 hat Texas Instruments seinen ersten Automotive-qualifizierten GaN-FET (650 V/30 mΩ) mit integriertem Treiber, Schutzfunktionen und aktivem Power-Management vorgestellt. Für Industrieanwendungen eignet sich der LMG3425R030 mit…

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© Messe München

electronica 2020

Vier Konferenzen, vier Foren

Die electronica wartet jedes Mal mit einem umfassenden Rahmenprogramm auf. Und auch wenn…

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© Infineon

Liefervertrag für Siliziumkarbid

Infineon sichert sich SiC-Boules von GT Advanced Technologies

Einen über fünf Jahre laufenden Liefervertrag für SiC-Boules (Siliziumkarbid-Rohkristalle)…

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© Infineon

Halbleiter-Lieferkette

Infineon sichert sich SiC-Quelle bei GT Advanced

SiC boomt, doch das Rohmaterial dafür ist knapp. Infineon hat mit GT Advanced einen…

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© TI

Stromversorgung

Texas Instruments auf der electronica 2020

Rauscharme Abwärtswandler mit integrierter Ferritperlen-Kompensation

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© ON Semiconductor

Lidar-Plattform

Komplett-Design für die Industrie

ON Semiconductor stellt eine Single-Point-dToF-Lidar-Lösung (dToF: Direct-Time-of-Flight)…

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© Maxim Integrated

Halbleiter

Maxim präsentiert Health Sensor Plattform 3.0

Für smarte Armbänder und Uhren sowie Brustpflaster und intelligente Ringe geeignet

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© Renesas

Halbleiter

Abwärts/Aufwärtsschaltregler mit Bypass-Modus ISL9122A

Renesas kündigt Buck-Boost-DC/DC-Wandler mit niedrigem Ruhestrom an

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© STMicroelectronics, Sanken Electric

Intelligente Power-Module

STMicroelectronics und Sanken kooperieren

Eine strategische Partnerschaft für die Entwicklung intelligenter Power-Module für…

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© Texas Instruments

Steigerung der Leistungsdichte

Bis ans Limit und weiter

Platz für die Stromversorgung ist knapp, mit weniger Ressourcen muss immer mehr Leistung…

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