Produkt

Infineon / Gate-Treiber

SOI-Technologie ermöglicht Levelshift von 1200 V

Mit dem Gate-Treiber 6ED2230 hat Infineon seine EiceDRIVER-Familie um ein Bauteil erweitert, das mithilfe der SOI-Technologie (Silicon on Insulator) auch einen Levelshift von 1200 V erreicht.

Yole Développement

SiC-Halbleiterbranche trotz Covid-19-Pandemie sehr robust

Trotz der Auswirkungen der Covid-19-Pandemie prognostizieren die Analysten von Yole –…

Halbleitermarkt 2020

Nvidia und AMD sind die großen Corona-Gewinner

Laut der Marktforschungsfirma ICInsights sind die beiden US-Chiphersteller Nvidia und AMD…

Stromversorgung und Leistungselektronik

Die Power-Highlights der electronica 2020

Welche Produkte sollten Power-Entwickler mit ins Jahr 2021 nehmen? Wir haben uns auf der…

Effektive Materialforschung

Voraussetzung für 5G, KI und Big Data

Neue Wege für die schnelle Entwicklung von Materialien für ICs schlägt Merck Performance…

Start-up MicroPack3D

Hochleistungselektronik schneller verpacken

Vier Verpackungskünstler der TU Dresden haben das Beste aus zwei Welten zusammengebracht:…

Semiconductor industry 2020

Meeting the Challenges of the Future with Innovation

Trends such as energy efficiency and reliability are only going to increase in the future…

Halbleiterindustrie 2020

Mit Innovationen kommenden Herausforderungen begegnen

Trends wie Energieeffizienz und Zuverlässigkeit werden sich in der Zukunft verstärken –…

Neue Automotive-GaN-FETs von TI

Doppelte Leistungsfähigkeit mit weniger Bauelementen

Texas Instruments erweitert mit den weltweit ersten 650 V Automotive-GaN-FETs…

Halbleiter

40-V-MOSFET-Halbbrücke SiZ240DT

Vishay bietet erhöhte Leistungsdichte und Effizienz