Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Transphorm / Galliumnitrid

SuperGaN-FETs sind besser als SiC-MOSFETs

SuperGaN heißt die fünfte Bauteilgeneration von Transphorm. Der On-Widerstand liegt bei 15 mΩ für einen 650-V-Baustein im TO-247-3-Gehäuse, was und 25 Prozent weniger Verlustleistung produzieren soll als äquivalente Siliziumkarbid-MOSFETs. Zielmarkt…

Siliziumkarbid

SiC-MOSFETs vor Kurzschluss schützen

Im Vergleich zu IGBTs aus Silizium stellen äquivalente MOSFETs aus Siliziumkarbid höhere…

Treiber-ICs

Extrem schnelle GaN-Transistoren richtig steuern

Galliumnitrid-Transistoren schalten viel schneller und haben damit weniger Verluste als…

Infineon / Siliziumkarbid

Spritzgegossenes Power-Modul mit 1200-V-CoolSiC-MOSFETs

Mit dem CoolSiC CIPOS Maxi IM828 hat Infineon das nach eigener Aussage weltweit erste…

Für Industrie-Motor- und Pumpenantriebe

Erstes 1200-V-Modul mit SiC in gemoldetem Gehäuse

Infineon stellt das erste integriertes 1200-V-Leistungsmodul (IPM) mit Siliziumkarbid…

Rohm Semiconductor

VCSEL-Module verbessern 3D-Erkennung und Entfernungsmessung

Die neuen Laserlichtquellen von Rohm Semiconductor vom Typ VCSEL erreichen bei…

UnitedSiC / Siiliziumkarbid

Vierte Generation an SiC-Transistoren

Mit vier Bauteilen mit 750 V Sperrspannung eröffnet UnitedSiC die vierte Generation ihrer…

48 V für Rechenzentren

GaN pusht High-Density-Server

Für High Performance Computing (HPC), KI, Cloud Computing oder Big Data benötigen…

Galliumnitrid / Transphorm

Ist GaN wirklich zuverlässig?

Auch wenn Galliumnitrid (GaN) viele Vorteile zu bieten hat, bleiben Entwickler beim…

Bildverarbeitung

Herausforderungen beim Ultraschallsonden-Design

Fortschritte in der Halbleitertechnik ermöglichen kleinerer, weniger Strom verbrauchender…