Produkt

Texas Instruments

Höhere Leistungsdichte dank integrierter GaN-Lösungen

Auch wenn Lösungen mit GaN-Transistoren höhere Leistungsdichten und Wirkungsgrade ermöglicht, bringt es andere Designherausforderungen mit sich bringt als Silizium-MOSFETs. Im Folgenden geht es darum, welche Überlegungen beim Design mit den…

Navitas Semiconductor

GaN-Halbbrücke mit GaNSense-Technologie

Basierend auf ihrer GaNSense-Technologie hat Navitas nun ein Halbbrücken-IC vorgestellt,…

Automotive-Branche

Versorgung mit Halbleitern verbessert sich deutlich

Mit Kurzarbeit reagierte die Automobilindustrie vielerorts, als sich die…

Ansteuerung von SiC-MOSFETs

Vorteile digitaler Gate-Treiber

Dekarbonisierung und Elektrifizierung sind aktuelle Megatrends, um die Klimaziele zu…

Trotz US-Sanktionen

Chinas Halbleiterindustrie bleibt weiter auf Wachstumskurs

Chinas größtes Importgut sind Halbleiter. Doch das ist nur ein Grund, warum China seit…

embedded world Panel

Chinesische Halbleiterindustrie: Eine enorme Dynamik

15.000 Startups, diverse Tapeouts in 7 nm, eigener CPU-Befehlssatz, Ausbau der…

Versorgungslage in China

Schwierig wie überall und doch anders

Die Automobilindustrie kämpft mit Lieferengpässen bei den Halbleitern, auch in China.…

Silicon Carbide Wafers

Infineon and II-VI Sign Long-Term Supply Agreement

Infineon has signed a multi-year supply agreement with II-VI for silicon carbide (SiC)…

Siliziumkarbid-Wafer

Infineon schließt Liefervertrag mit II-VI

Mit II-VI hat Infineon einen mehrjährigen Liefervertrag für SiC-Wafer unterzeichnet. Damit…

25 Jahre SiCrystal in Nürnberg

60 Prozent Wachstum pro Jahr als Herausforderung

Das Geschäft von SiCrystal, Nürnberger Hersteller von SiC-Wafern, boomt. Wie das zu Rohm…