Forschungserfolg
Epitaxiale SiC-Schicht auf 300-mm-Silizium-Wafern
Eines der Probleme von GaN auf Silizium ist die Fehlanpassung von Thermokoeffizient und Gitterstruktur. Pufferschichten könnten das lösen, waren bislang allerdings sehr teuer. Eine neue epitaxiale 3C-SiC-Schicht auf Si-Wafern soll dagegen…