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Treibertransistor-Arrays für hohe Spannungen

16. November 2016, 9:17 Uhr | Frank Riemenschneider
© Toshiba Electronics Europe

Die Ausgangstransistor-Arrays TBD-62183AFNG und TBD62183AFWG von Toshiba Electronics im SSOP18- und SOL18-Gehäuse eignen sich als Pegelwandler und für die Ansteuerung von Optokopplern, LEDs und Relais, die Eingangssignale mit hoher Spannung erfordern.

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Die mit DMOS-FET-Senkenausgang aufgebauten 8-Kanal-Arrays steuern hohe Spannungen mit einer Eingangsspannung von 30 V und einer Ausgangsspannung von 50 V. Ein 8-Kanal-Senkenausgang in den SMD-Gehäusen sorgt für eine geringere Anzahl an Bauteilen, wenn mehrere Schaltkreise angesteuert werden sollen.

Die TBD62083A-Serie bietet einen IOUT von 500 mA pro Kanal. Die TBD2183A-Serie eignet sich für Low-Power-Anwendungen mit einem maximalen IOUT von 50 mA pro Kanal. Durch den DMOS-FET-Ausgang der beiden Transistor-Arrays ist kein dauerhafter Basisstrom am Eingangs-Pin erforderlich.

Die Bausteine arbeiten mit einem maximalen Eingangsstrom von 0,1 mA bei UIN = 3 V. Die Ausgangscharakteristik ähnelt den Uce(sat)-Eigenschaften eines Darlington-Bipolartransistors, womit sich die Arrays als Ersatz für In-Line-Bipolartransistoren der Serie TD62083A eignen.

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