STMicroelectronics hat die ersten oberflächenmontierbaren 800-V-Thyristoren vorgestellt, die ohne Derating bei Temperaturen bis zu 150 °C betrieben werden können.
Dies ermöglicht das Design miniaturisierter Power-Module für Anwendungen, die eine hohe Zuverlässigkeit unter rauen Umgebungsbedingungen verlangen. Der in einem High-Voltage-D³PAK-Gehäuse (TO-268-HV) angebotene Thyristor TM8050H-8 schaltet einen Nennstrom von 80 A. Hersteller können damit in Applikationen von 1 bis 10 kW die Effizienzvorteile der Oberflächenmontage nutzen, die Größe der Leiterplatten und Kühlkörper reduzieren.
Das Gehäuse weist einen Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse von 0,25 K/W auf. Die Kriechstrecke zwischen Pin und Tab von 5,6 mm bietet eine große Sicherheitsspanne beim Anlegen hoher Spannungen. Optional ist der Thyristor auch im TO-247-Gehäuse verfügbar. Mit seinem dynamischen Widerstand (RD) von 5,5 mΩ (bei TJ = 150 °C), seiner Einschaltspannung (VTO) von 0,85 V und seinem Leckstrom von maximal 20 µA (bei 800 V und TJ = 25 °C) liefert der TM8050H eine hohe Energieeffizienz unter allen Einsatzbedingungen.