Weltpremiere: IR stellt GaN-Technologie-Plattform vor
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Weltpremiere: IR stellt GaN-Technologie-Plattform vor
Neben der großen Bandlücke zeichnet sich GaN gegenüber Silizium durch ein deutlich besseres Reverse-Recovery-Verhalten aus, das auch erlaubt, die Leistungshalbleiter mit deutlich höheren Taktraten bis zu 5 MHz und darüber zu betreiben. Weiterer Pluspunkt des neuen Materials ist ein RDS(on) der um gut 40 Prozent unter dem klassischer Silizium-MOSFETs liegt. Die Tatsache das GaN bis rund 320 °C einsetzbar ist, eröffnet hinsichtlich einer abwärmeoptimierten Leistungsperformance ähnliche Werte wie bei Siliziumkarbid-Lösungen. Zwar wollte sich von Seiten IRs niemand auf konkrete Preise festlegen, die GaN-Lösungen dürften aber aufgrund des einfacheren Fertigungsprozesses deutlich unter den Kosten für Siliziumkarbid-Lösungen liegen.
Der Präsentation der GaN-Technologie gingen bei International Rectifier fünf Jahre Forschung voraus. Erste Produkte werden Ende nächsten Jahres erhältlich sein. Entwicklungen laufen derzeit in Richtung von 600-V-Devices, sowie von 100- und 200-V-Lösungen
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