Halbleiter

Power-MOSFETs

Neue 25-V-Bausteine von Renesas Electronics steigern FOM um 40 Prozent

Für den Einsatz in DC/DC-Wandlern hat Renesas Electronics die MOSFETs der Serie »RJK021xDPA« vorgestellt. Diese 25-V-Bausteine haben eine FOM von höchstens 7,2 mΩ•nC, etwa 40 Prozent besser als die bisherigen MOSFETs des Herstellers.

Power Integrations

Standby-Verbrauch der Sense-Widerstände eliminiert

Zum Messen der Zwischenkreisspannung kommen bei Schaltnetzteilen Widerstandsteiler zum…

Low-Dropout-Regler

LDO von Torex kommt ohne Ausgangskondensatoren aus

Aufgrund einer internen Phasenkompensationsschaltung kommt der Low-Dropout-Regler »XC6503«…

Lieferkette

Halbleiter-Lagerbestände steigen

Wie eine neue Marktstudie von iSuppli belegt, steigen die Lagerbestände der…

Neue SSD-Generation

»iSSD« von SanDisk: 64 GByte im Miniformat

SanDisk stellt eigenen Angaben zufolge das kleinste Embedded-Solid-State-Drive mit einer…

Interview: John East zu seinem Rückzug und zur…

»Wir dürfen niemals mit den Großen direkt in Wettbewerb treten«

John East, derzeitiger President und CEO von Actel, hat seinen Rücktritt angekündigt - wir…

Marktstudie

Jedes Dritte DRAM kommt von Samsung

Die DRAM-Hersteller haben wieder ein besonders starkes Quartal hinter sich gebracht. Der…

Der Außenhandel beschleunigt weiter

Elektroexporte auf Vor-Krisen-Niveau

Im Juni 2010 sind die Exporte der deutschen Elektroindustrie um 35 Prozent gegenüber dem…

Wahl der richtigen Regelstrategie

Geschönte Lebensdauer bei Lastwechseltests?

Aktive Lastwechseltests sind ein wichtiges Hilfsmittel zur Bewertung der Zuverlässigkeit…

Sicherheit im Netz

Intel übernimmt McAfee

Es ist seit langem der größte Zukauf eines Halbleiterherstellers: 7,7 Milliarden Dollar…