Halbleiter

International Rectifier

Heimkinosystem nutzt als erstes GaN-auf-Silizium-Bausteine

International Rectifier hat nun erstmals im großen Umfang Produkte ausgeliefert, die auf ihrer GaN-basierten Leistungsbaustein-Technologieplattform beruhen. Sie kommen in einem Heimkinosystem von Samsung zum Einsatz.

50-Millionen-Dollar-Investment

IXYS akquiriert Samsungs 4- und 8-Bit-MCUs

Annähernd 50 Mio. Dollar lässt sich Ixys die Übernahme von Samsungs 4- und…

BIWIN

SSDs auf Basis des NGFF-Standards

Auf Intels NGFF-Standard (Next Generation Form Factor) basieren die neuesten…

Auszeichnung

Tu Gutes und rede darüber!

Zuken wurde für das Geschäftsjahr 2012 mit dem »Award for Excellence« in der Kategorie IT…

Platzsparendes SOC

CPU, Grafik und I/O auf einem Chip

Seit 2011 bieten sogenannte »APUs« bereits eine Kombination von CPU und GPU auf einem…

Brian Krzanich

Intels neuer CEO reorganisiert den weltgrößten Chiphersteller

Intels neuer CEO Brian Krzanich hat eine durchgreifende Reorganisation des Unternehmens…

International Rectifier

40-V-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand

International Rectifier hat AEC-Q101-qualifizierte 40-V-N-Kanal-MOSFETs mit niedrigem…

Infineon Technologies

Neues TO-Leadless-Gehäuse für bis zu 300 A

Ein neues TO-Leadless-Gehäuse, das neben einem reduzierten Package-Widerstand signifikant…

IC-Hersteller-Ranking

Qualcomms Wachstum ungebrochen, Renesas fällt aus Top-Ten

Die Marktforschungsfirma IC Insights hat die Top-20 der Chip-Hersteller im 1. Quartal 2013…

Revolution in Japan

Renesas bekommt nach erneuten Milliardenverlusten einen neuen, externen CEO

Nachdem das Ende März 2013 abgelaufene Geschäftsjahr vom Chip-Hersteller Renesas…