GaN-Leistungshalbleiter
Cree lizenziert GaN-Bauteilpatente an Transphorm
Cree hat einen nicht-exklusiven, weltweiten Lizenzvertrag mit Transphorm unterzeichnet, der Transphorm Zugang zu der umfangreichen Familie von Cree-Patenten im Zusammenhang mit GaN-HEMTs (High Electron Mobility Transistor) und GaN-Schottky-Dioden für…