Halbleiter

Siliziumkarbid-MOSFETs

Verbesserte zweite Generation

Seit Anfang 2011 sind MOSFETs aus Siliziumkarbid kommerziell erhältlich. Anfang dieses Jahres ist nun die zweite Generation erschienen. Wo liegen die Unterschiede zu konventionellen Siliziumbausteinen und die Verbesserungen zur Vorgängergeneration?

CES 2014

Qualcomm enthüllt seine Automotive-Pläne

Der kalifornische Chip-Hersteller Qualcomm hat auf der Consumer Electronics Show in Las…

Weitere Subventionen in Fernost

China fördert Chip-Industrie mit 5 Milliarden Dollar

Die chinesische Regierung hat einen 5 Mrd. Dollar umfassenden Fond zur Förderung der…

Galliumnitrid-Leistungsschalter

Brückenlose PFC-Schaltung

Seit kurzem sind nun Galliumnitrid-Leistungsschalter auf Silizium für 600 V Sperrspannung…

Insolvenzverwalter vs. HP

Qimonda: Gericht bestätigt Ansprüche aus Patentverletzungen

Der Insolvenzverwalter von Quimonda, Dr. Michael Jaffé, hat einen Teilerfolg gegen…

Galliumnitrid-Leistungsschalter

GaN schnell implementieren

Auf der diesjährigen PCIM Europe waren GaN-Leistungsschalter ein heißes Thema, nachdem…

Leistungsmodule

Effizienter pumpen

Die Effizienz gilt als das wichtigste Kriterium zum Bewerten von Hydraulikpumpen, denn…

Firmenübernahme

Mentor Graphics kauft Oasys Design Systems

Kurz vor Jahresschluss machte Mentor Graphics publik, dass es den…

Designplattformen für Entwickler

7 neue Entwurfs- und Verifikationswerkzeuge

Entwurfswerkzeuge für den Schaltungsentwickler und Systemdesigner gibt es in Hülle und…

Auszeichnung für Technikkommunikation

VDE-Medienpreis Technik für Elektronik-Chefredakteur

Stellvertretend für die gesamte Redaktion des Fachmediums Elektronik wurde Chefredakteur…