Halbleiter

Forschungszentrum Jülich

ReRAM-Schaltmechanismus aufgeklärt

Wie die energiesparenden, nicht-flüchtigen ReRAM-Speicherzellen im Detail funktionieren, hat nun ein interdisziplinäres Forscherteam aus Jülich, Aachen und Grenoble mit dem Elektronenmiskroskop entschlüsselt.

Graphene-Revolution

GaAs fast zum Preis von Silizium

Graphene könnte die Wafer-Kosten deutlich senken – weil es »rutschig« ist.

Mikroelektronik und Mikrosysteme

Entscheidend für Industrie 4.0, Robotik und Mobilität

Bereits zum siebten Mal stellt der Mikrosystemtechnik-Kongress in diesem Jahr heraus, wie…

Superjunction-MOSFETs

Neuer Anbieter im 650-V-Markt

Ein neuer Teilnehmer auf dem Leistungshalbleiter-Markt ist D3 Semiconductor. Das Ende 2011…

Siliziumkarbid-Kristallzüchtung

So entsteht ein SiC-Wafer

Siliziumkarbid ist Halbleitermaterial mit großer Zukunft. Allerdings ist die Herstellung…

65 Jahre Elektronik

Elektronik Art

Bildende Kunst und Elektronik-Industrie – passt das zusammen? Die bayerische Künstlerin…

Für 4,5-V-Logic-Level-Ansteuerung

100-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs von Toshiba

Seine U-MOS-VIII-H-Serie hat Toshiba um zwei n-Kanal Niederspannungs-Leistungs-MOSFETs…

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Cypress: Meilenstein bei embedded-Flash

Kombination von 55-nm-LP-Prozess mit SONOS

HLMC und Cypress haben einen Meilenstein bei embedded Flash gesetzt: Kombiniert wird HLMCs…

Foxconn steigt ein

Toshiba: Der Preis wird heißer

27 Mrd. Dollar bietet Foxconn für die Speichersparte von Toshiba – akzeptiert Japan einen…