Halbleiter

Forschungsprojekt »eRamp«

Die Leistungselektronik in Deutschland und Europa stärken

Damit die Leistungselektronik im europäischen Raum auch zukünftig wettbewerbsfähig bleibt, wird intensiv geforscht – zum Beispiel im nun abgeschlossenen Projekt »eRamp«. Die gesamte Energie-Wertschöpfungskette wurde im Rahmen dieses…

IMS statt PCB

Optimale Entwärmung von GaN-Bauelementen auf Systemebene

Gerade bei hohen Strömen und Leistungen muss besonderes Augenmerk auf die thermische…

TrendForce/DRAMeXchange

Dämpfer für mobile DRAMs – aber blendende Aussichten

Die Preise für DRAMs, die in Mobilgeräte wandern, sinken – aber nur ganz leicht. Micron,…

Samsung Electronics

Roadmap zu 4 nm

Eine Foundry-Roadmap für die Fertigung von ICs auf der 8-, 7-, 6-, 5- und 4-nm-Ebene sowie…

IC Insights

ICs für Autos: 28 Mrd. Dollar

ICs für den Einsatz in Kraftfahrzeugen legen in diesem Jahr zweistellig zu und kommen auf…

Toshiba Memory

Western Digital droht – und erhöht Angebot

Um zu überleben, muss Toshiba ihre NAND-Speicher-Einheit verkaufen. Aber an wen?

Texas Instruments

Leistungsdichte von Antrieben verdoppeln

Mit einer neuen Gate-Treiber-Architektur erlaubt es TI, die Leistungsdichte in Antrieben…

Galliumnitrid: Schnell und mit Potenzial

Licht aus dem Schatten des Siliziums

Das Potenzial von Galliumnitrid für Anwendungen in der Leistungs- und…

MOSFETs im TO-220 FullPAK Wide Creepage

Isolationskriterien erfüllen

Wie lassen sich Isolationsvorschriften für MOSFETs ohne zusätzliche Arbeitsschritte und…

1700-V-SiC-MOSFETs machen es möglich

Hilfsstromversorgungen - kompakt und kostengünstig

In Hilfsstromversorgungen für dreiphasig gespeiste industrielle Sys­teme lassen sich durch…