Halbleiter

Leistungselektronik-Report

Der Power-MOSFET-Markt – Aktuelles und Trends

Yole Développement hat einen neuen Leistungselektronik-Bericht vorgelegt, in dem das Marktforschungsunternehmen den Leistungs-MOSFET-Markt beleuchtet. Die Zeichen stehen auf Wachstum… Über seine Sicht zum Leistungselektronik-Markt berichtet Yole auch…

Kleinste Strukturen in Massenproduktion

Samsung ist neuer Fertigungsmeister

Es dauerte 42 Jahre, bis Konkurrent Samsung hinsichtlich der Logikdichte Intel an der…

Toshiba Memory

Geld ist nicht alles

Toshibas stolze Speichereinheit soll japanisch bleiben – zumindest zum Teil.

Für batteriebetriebene Anwendungen

StrongIRFET im neuen Gehäuse

Infineon ergänzt die StrongIRFET-Familie um einen 40-V-Baustein im neuen Gehäuse D2PAK…

Für die Chip-Technologie von morgen

Elektronische Transistorstrukturen unter 2 nm realisiert

Die Miniaturisierung elektronischer Bauelemente geht weiter, allerdings nicht mehr mit…

Interview mit Analog-Guru Bob Dobkin

»Wir haben von Digital sehr profitiert«

Bob Dobkin ist eine lebende Legende in der analogen Schaltungstechnik. DESIGN&ELEKTRONIK…

25 Mal geringere Energieaufnahme

2-nm-Transistoren sind möglich – in Stückzahlen

Die TU-Ilmenau zeigt: Es gibt ein Leben nach der CMOS-Technik – und öffnet damit die Tür…

Xilinx

Vivado 2017.1 ist zum Download verfügbar

Xilinx kündigt die Version 2017.1 der Vivado Design Suite HLx Editionen an; und zwar mit…

Kolumne

How do you do, Miss Eberlein?

Was haben Otmar Hitzfeld, Volker Finke oder Hans Eichel gemeinsam? Richtig, sie waren alle…

Hoher Drain-Dauerstrom

30-V-n-Kanal-TrenchFET für Mobilgeräte

Vishay hat einen 30-V-n-Kanal-TrenchFET der vierten Generation präsentiert, der die…