UnitedSiC / Siiliziumkarbid
Vierte Generation an SiC-Transistoren
Mit vier Bauteilen mit 750 V Sperrspannung eröffnet UnitedSiC die vierte Generation ihrer auf einer Kaskode beruhenden SiC-JFETs. Besondere Anwendungsfelder sind Anwendungen mit 400 V bis 500 V Busspannung, also die Elektromobilität und Stromversorgungen in Serverfarmen.