Halbleiter

Transphorm / Galliumnitrid

SuperGaN-FETs sind besser als SiC-MOSFETs

SuperGaN heißt die fünfte Bauteilgeneration von Transphorm. Der On-Widerstand liegt bei 15 mΩ für einen 650-V-Baustein im TO-247-3-Gehäuse, was und 25 Prozent weniger Verlustleistung produzieren soll als äquivalente Siliziumkarbid-MOSFETs. Zielmarkt ist die Elektromobilität.

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