Halbleiter

Siliziumkarbid-Wafer

II-VI investiert 1 Milliarde Dollar in Wafer-Fertigung

In seine Herstellung von SiC-Substraten und -Epitaxie-Wafern an den Standorten Easton und Kista wird II-VI in den nächsten zehn Jahren eine Milliarde US-Dollar investieren. Bis 2027 soll der Standort Easton pro Jahr das Äquivalent von einer Million 150-mm-Wafern herstellen können.

Foundries, IDMs oder OSATs?

Advanced Packaging mischt die Lieferkette auf

Die führenden Foundries und IDMs stecken viel Geld in die schnell wachsenden...

Preisdruck hält unvermindert an

»Eine solche Knappheit an Gütern gab es noch nie«

Schon vor dem Angriffskrieg Russlands auf die Ukraine sagten Analysten für Komponenten...

TSMCs Umsatz

Der größte Kunde kommt auf 26 Prozent

Mit ihrem größten Kunden hat TSMC 2021 rund 26 Prozent des Umsatzes erzielt, was 14,27...

Wide-Bandgap-Halbleiter

Soitec erweitert Fertigungskapazitäten bei Siliziumkarbid

Um SiC-Wafer mit ihrer proprietären SmartCut-Technologie zu fertigen, wird Soitec an...

Simulationswerkzeug von Infineon

Lebensdauer von Power-Modulen automatisiert vorhersagen

Für industrielle Kunden gewinnt die Abschätzung der Lebensdauer von Leistungsmodulen in...

Microchip

SSD-Controller mit »Cloud-Ready«- und Sicherheitsfunktionen

Den neuen Flash-Speicher-Controller von Microchip ist für SDD-Laufwerke mit einem...

SiC- und GaN-Komponenten

48 Prozent Wachstum pro Jahr

Der Umsatz mit SiC- und GaN-Komponenten wächst laut TrendForce von 2021 bis 2025...

Sparsam und hochperformant

Winbond treibt die HyperRAM-Technik voran

Seit Winbond 2019 dem HyperRAM-Lager beigetreten ist, baut das Unternehmen...

Intel und Top-Chip-Firmen

Offenes Chiplet-Ecosystem schaffen!

Intel will ein offenes Chiplet-Ecosystem auf Basis offener Schnittstellen-Standards...