Halbleiter

Neue SiC-MOSFET-Generation von Rohm

Tiefe Einblicke in die Gen 4

Vor kurzem hat Rohm Semiconductor seine vierte Generation an Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC) auf den Markt gebracht. Doch halten diese Bauelemente, was der Hersteller verspricht? PGC Consultancy und TechInsights haben sich das genauer angesehen.

Kinara/NXP

Deep Learning optimierte KI für das Edge

Kinara, KI-Prozessorspezialist für Edge-Anwendungen, arbeitet mit NXP Semiconductors...

SiFive

RISC-V-Portfolio für Automotive-Anwendungen

SiFive hat drei IP-Cores auf Basis der RISC-V-ISA entwickelt, die auf...

»Quantenradar«

Podcasts aus der Welt der Quantentechnologien

Berliner Institut für Innovation und Technik (iit) hat jüngst einen Technologie-Podcast...

DRAM-Markt schrumpft

Der Abwärts-Zyklus hat begonnen

Im Mai dieses Jahres hatten die DRAMs ihren höchsten Umsatz erreicht, danach stürzte er...

SiC – eine Bestandsaufnahme (Teil 3)

Optimierungspotenzial bei SiC-MOSFETs

Silizium-MOSFETs sind weitestgehend ausgereift – ganz anders als solche aus...

Ultra-Wide-Bandgap-Halbleiter

Erster Aluminiumnitrid-Kristall mit 43 mm Durchmesser

Aluminiumnitrid hat eine größere Bandlücke als Wide-Bandgap-Halbleiter wie...

Trennverstärker

Spannungen in Antrieben isoliert erfassen

Antriebe, String-Wechselrichter oder On-Board-Ladegeräte arbeiten mit so hohen...

Für VR-Brillen, Handys und Autos

»Nano-Imprint-Lithografie in den Mainstream!«

Die EV Group (EVG) und Toppan Photomask wollen die Nanoimprint-Lithographie (NIL) in...

SiC – eine Bestandsaufnahme (Teil 2)

Bei SiC ist noch viel Luft nach oben

Silizium-Leistungshalbleiter sind weitestgehend ausgereift, was die Grenzen des...