Wie Galliumnitrid die Leistungswandler verändert

5. Mai 2009, 11:59 Uhr | Dr. Michael A. Briere
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Fortsetzung des Artikels von Teil 3

Analoge vs. digitale Regelung

Angesichts der dramatischen Verbesserungen bei den Gütefaktoren in Verbindung mit höheren Schaltfrequenzen (20 bis 60 MHz) sowie einer kommerziellen Funktionsfähigkeit der Technologieplattform können GaN-basierte Leistungsbausteine auch einen Durchbruch hinsichtlich des „kommerziellen Gütefaktors“ Dichte × Wirkungsgrad / Kosten erzielen (im folgenden Wertsteigerung genannt).

Um von dieser fundamentalen Verbesserung bei einer grundsätzlichen Wertsteigerung der Leistungswandler profitieren zu können, muss die Regelstruktur die erforderliche Präzision bei einer viel höheren Bandbreite aufbringen als sie derzeit angewandt wird. Das stellt eine fundamentale Herausforderung für die Einführung angepasster digitaler Regelkreise dar, weil Einsparungen durch die deutliche Erhöhung der Leistungsdichte und des Wirkungsgrades auf der einen Seite erhöhten Kosten durch gestiegene Präzisionsanforderungen auf der Regelungsseite gegenüberstehen. Ein Schalten bei einer Frequenz über 20 MHz bedeutet ein echtes Problem für die digitale Regelung.


  1. Wie Galliumnitrid die Leistungswandler verändert
  2. Vorteile von GaN-on-Silicon
  3. Wie Galliumnitrid die Leistungswandler verändert
  4. Analoge vs. digitale Regelung
  5. Wie Galliumnitrid die Leistungswandler verändert

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