Robuster 30-V-P-Kanal-Trench-MOSFET mit niedrigem Widerstand

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Das kommt durch den Einsatz eines dickeren Gate-Oxids mit 55 nm, das die Fläche am Grund des Trench mindert. Damit werden die Eigenschaften von der Trench-Tiefe letztlich unabhängig.

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Der wichtigste Faktor der Pitch- Optimierung (Abstände der Zellen) wurde ebenfalls in die Überlegungen einbezogen. Wie Bild 8 zeigt, weisen Simulationsergebnisse auf spezifische Verbesserungen des Durchlasswiderstandes (R_sp) hin, und zwar für die beiden Sättigungsspannungen U_gs = 10 V und U_gs = 4,5 V, während der Zellenabstand unter 1 µm reduziert wurde. Basierend auf einer Silizium- Aufteilung mit einem Abstand von 0,8 µm und 1 µm, zeigt Bild 8 die experimentellen Ergebnisse und bestätigt damit die Simulationen.

1. Robuster 30-V-P-Kanal-Trench-MOSFET mit niedrigem Widerstand
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