LeistungsModul mit SiC-Schaltern
Ist SiC tatsächlich besser?
Fortsetzung des Artikels von Teil 1
JFETs gegen IGBTs
Bild 4 zeigt einen Vergleich zwischen Modulen mit Silizium-IGBTs (durchgezogene Linien) und SiC-JFETs (gestrichelte Linien). Sehr schön zu sehen ist, dass die Module mit SiC-JFETs generell einen höheren maximalen Wirkungsgrad haben. Und dieser Vorteil nimmt mit höherer Schaltfrequenz noch zu. Somit hat der Anwender die Möglichkeit, sowohl die Effizienz als auch die Schaltfrequenz zu erhöhen. Wie schon bei den SiC-Schottky-Dioden können durch die höhere Schaltfrequenz die passiven Filterkomponenten wie Induktivitäten und Kondensatoren kleiner ausfallen, was die Systemkosten senkt.
Das Pinout der neuen Familie ermöglicht ein optimales, niederinduktives PCB-Layout. Die Zwischenkreis-Anschlüsse Plus, Minus und Neutral befinden sich in der Mitte des Moduls, somit kann ein durchgehend niederinduktives Zwischenkreislayout ohne Unterbrechung realisiert werden. Zusätzlich lassen sich Snubber-Kondensatoren ganz nah am Modul platzieren.
Vincotech bietet in derselben Modulfamilie auch Versionen mit Booster-Konfiguration an. Es handelt sich dabei um zwei parallele Booster in einem Modul. Varianten mit 1200-V-IGBTs oder -SiC-JFETs sind erhältlich. Mit zwei Boostern kann man zwei unabhängige MPPT-Kanäle (Maximum Power Point Tracker) in einem Solar-umrichter mit hoher Effizienz oder Taktfrequenz realisieren.
Der Autor: Xi Zhang ist Product Manager bei Vincotech
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